LOFIC CMOSイメージセンサの画素縮小化技術

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2010-03-26

著者

• 酒井 伸

  東北大学大学院工学研究科

• 田代 睦聡

  東北大学大学院工学研究科

• 川田 峻

  東北大学大学院工学研究科

• 須川 成利

  東北大学大学院工学研究科

関連論文

• LOFIC CMOSイメージセンサの画素縮小化技術(固体撮像技術)
• 色毎の飽和光量差を低減したWRGB市松画素LOFIC CMOSイメージセンサ(高機能イメージセンシングとその応用)
• n^+-、p^+-Si領域に最適なシリサイドを用いた高電流駆動能力トランジスタ(プロセス科学と新プロセス技術)
• RTN測定の高精度・高速化技術とRTN特性に強い影響度を示すプロセス条件 (情報センシング)
• 大規模アレイTEGを用いた長時間測定によるランダム・テレグラフ・シグナルの統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
• 1/200の圧縮率を実現する演算の省略機能を備えた適応解像度ベクトル量子化プロセッサ
• 多重電圧・電流読み出し動作を用いた線形応答超広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサ(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
• 多重電圧・電流読み出し動作を用いた線形応答超広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサ(イメージセンサ,アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
• 角度分解光電子分光法によるゲート絶縁膜/シリコン基板界面に形成される構造遷移層に関する研究(プロセス科学と新プロセス技術)
• プラズマ窒化膜/Siの界面構造、サブナイトライド、価電子帯構造(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• Si(100),(110)面上の極薄Si_3N_4-Si界面構造とその電気的特性
• 超清浄シリコン表面の形成(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• プラズマ酸化、酸窒化、窒化によるゲート絶縁膜中に含まれる希ガス原子が電気的特性に与える影響
• RTN測定の高精度化・高速化技術とRTN特性に強い影響度を示すプロセス条件(携帯電話用カメラ,デジタルスチルカメラ,ビデオカメラ(ハイビジョン)とそのためのイメージセンサ,モジュール,特別企画「CCD誕生40周年記念講演-黎明期-」)
• 数値制御プラズマCVM (Chemical Vaporization Machining)によるSOIの薄膜化 : デバイス用基板としての加工面の評価
• フラッシュメモリーにおける新しい信頼性評価技術
• LOFIC CMOSイメージセンサの画素縮小化技術
• 1-1. 情報センシング(1.画像エレクトロニクス,映像情報メディア年報)
• 局所境界要素法によるイメージセンサの3次元波動光学シミュレーション
• MOSFET特性ばらつき、RTSノイズの統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
• Stress Induced Leakage CurrentとRandom Telegraph Signalノイズとの相関(プロセス科学と新プロセス技術)
• プラズマプロセスによるMOSFET特性ばらつきの統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
• 大規模アレイTEGを用いたランダム・テレグラフ・シグナルの統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
• 大規模アレイTEGによるトンネル絶縁膜の微小・局所的ゲート電流の統計的評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• CMOSイメージセンサの画素トランジスタのノイズ測定(イメージセンサ一般(IISW報告会含む))
• 高温下の耐性・撮像性能を改善した広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサ(イメージセンシング技術とその応用)
• 横型オーバフロー蓄積と電流読出し動作を組合せたダイナミックレンジ200dB超のCMOSイメージセンサ(イメージセンシング技術とその応用)
• 200dB超の広ダイナミックレンジ性能をもつ横型オーバーフロー容量CMOSイメージセンサの高S/N動作方法
• 横型オーバーフロー蓄積と電流読み出し動作を組み合わせたダイナミックレンジ200dB超のCMOSイメージセンサ
• 感度とリニアリティ特性を改善した横型オーバーフロー蓄積容量型広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサ
• 横型オーバーフロー蓄積容量を用いた広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサの暗電流耐性とオーバーフロー特性(アナログ・デジアナ・センサ, 通信用LSI)
• 横型オーバーフロー蓄積容量を用いた広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサ
• リアルタイムオブジェクト分離を行う高機能CMOSイメージセンサ
• リアルタイムオブジェクト分離を行なう高機能CMOSイメージセンサ
• マイクロ波励起プラズマ有機金属化学気相堆積装置の開発と強誘電体Sr_2(Ta_,Nb_x)_2O_7膜の形成(不揮発性メモリ及び関連プロセス一般)
• 微細MOSトランジスタ特性の統計的ばらつき評価手法に関する研究
• 大規模アレイTEGにより評価した低ビットエラーのKr/O_2/NOトンネル酸窒化膜の形成
• SiC上に低温で形成されたゲート絶縁膜の電気的特性における残留カーボン依存性,AWAD2006)
• SiC上に低温で形成されたゲート絶縁膜の電気的特性における残留カーボン依存性
• Hole注入法によるNBTI評価手法及び寿命予測方法の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
• Hole注入法によるNBTI評価手法及び寿命予測方法の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
• Hole注入法によるNBTI評価手法及び寿命予測方法の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
• 数値制御プラズマ CVM(Chemical Vaporization Machining) によるSOIの薄膜化 : デバイス用基板としての加工面の評価
• 横型オーバフロー蓄積容量を用いたCMOSイメージセンサの画素縮小化技術
• CDS-1-1 広ダイナミックレンジLOFIC CMOSイメージセンサ技術(CDS-1.高ダイナミックレンジ映像技術の最前線〜高ダイナミックレンジ化がもたらす映像システムの新たな展開〜,シンポジウムセッション)
• CDS-1-1 広ダイナミックレンジLOFIC CMOSイメージセンサ技術(CDS-1.高ダイナミックレンジ映像技術の最前線〜高ダイナミックレンジ化がもたらす映像システムの新たな展開〜,シンポジウムセッション)
• 微細MOSデバイスのランダム・テレグラフ・シグナル・ノイズ(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
• 微細MOSデバイスのランダム・テレグラフ・シグナル・ノイズ(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
• 機能・工程設計フレームワークと機能品質完結生産(技術経営, 第20回年次学術大会講演要旨集I)
• ULSI用低抵抗コンタクトのための低バリアハイトメタルシリサイドの形成(プロセス科学と新プロセス技術)
• LC共振法による極薄ゲート絶縁膜の電気的膜厚測定法(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• 動作合成技術を用いたハードウエア/ソフトウエア自動分割技術(上流設計技術(1),システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
• 動作合成技術を用いたハードウエア/ソフトウエア自動分割技術(上流設計技術(1),システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
• 広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサ技術
• 広ダイナミックレンジイメージセンサの最新動向(撮像技術の最新動向)
• PELOC : 動的再構成FPGA用自動配置配線ツール : フレキシブルプロセッサへの応用(設計手法とシステムソフトウェア)
• 列並列演算器を備えたリアルタイムオブジェクト抽出を行なう高機能高画質CMOSイメージセンサ
• 原子状酸素を用いた酸化処理による強誘電体STN薄膜の特性改善(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• ラジカル酸化による Poly-Si TFTの高性能化に関する研究
• ラジカル酸化によるPoly-Si TFTの高性能化に関する研究(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• シリコン(100)面の原子オーダー平坦化におけるl/fノイズ低減効果
• マイクロ波励起高密度プラズマによる低温直接窒化を用いて高品質極薄シリコン窒化ゲート絶縁膜に関する研究
• 画像圧縮用ベクトル量子化プロセッサ
• ベクトル量子化を用いた静止画像高画質高圧縮システム
• ベクトル量子化を用いた静止画像高画質高圧縮システム
• ベクトル量子化を用いた静止画像高画質高圧縮システム
• 低温プロセスを特徴とする低抵抗TaNx/Ta/TaNxゲート電極・Si_3N_4ゲート絶縁膜MNSFET
• 低温プロセスを特徴とする低抵抗TaNx/Ta/TaNxゲート電極・Si_3N_4ゲート絶縁膜MNSFET
• 325万画素APS-CサイズCMOSイメージセンサ
• 低温プロセスを特徴とする低抵抗TaNx/Ta/TaNxメタルゲートFDSOI-CMOS技術
• CMOSイメージセンサ技術
• マイクロ波励起高密度Kr/O_2/N_2プラズマを用いたシリコン酸窒化膜の低温形成
• バランスト電子ドリフトマグネトロンプラズマを用いたダメージフリーエッチング技術
• マイクロ波励起Kr/O_2プラズマによるシリコン酸化膜の低温形成
• マイクロ波励起低温高密度プラズマプロセス
• 日本MOT学会による査読論文(2011-2) 技術成果を製品開発ステージにつなげるための技術開発マネジメント
• 群企画製品のモジュール化設計をべースにした生産システムの開発(機械要素,潤滑,工作,生産管理など)
• 特許出願意思決定支援のための発明評価
• 横型オーバフロー蓄積容量を用いたCMOSイメージセンサの画素縮小化技術
• バースト10MfPsと連続10Kfpsの撮像速度を有する高速CMOSイメージセンサのプロトタイプ試作評価(固体撮像技術および一般)
• デュアルシリサイドを用いた低直列抵抗CMOSソース/ドレイン電極形成技術
• 10Mfps高速CMOSイメージセンサの高S/N読み出し動作(高機能イメージセンシングとその応用)
• WRGB LOFIC CMOSイメージセンサを用いた青緑及び黄色領域を含む全色域の色再現性の向上(高機能イメージセンシングとその応用)
• 原子レベル平坦化Si表面を用いた紫外光高感度・高信頼性フォトダイオード(2011 International Image Sensor Workshop(IISW)関連およびイメージセンサ一般)
• 埋め込み構造によるMOSFETにおけるランダム・テレグラフ・ノイズの低減(プロセス科学と新プロセス技術)
• ラジカル反応ベース絶縁膜形成技術における界面平坦化効果と絶縁膜破壊特性との関係(プロセス科学と新プロセス技術)
• 異常Stress Induced Leakage Currentの発生・回復特性の統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
• バースト1Tpixel/sと連続780Mpixel/sの撮像速度を有するグローバルシャッタ高速CMOSイメージセンサ(固体撮像技術および一般)
• 広ダイナミックレンジイメージセンサの技術動向
• 紫外光高感度・高信頼性を有する原子オーダー平坦Si表面を用いたフォトダイオードのドーパントプロファイル(高機能イメージセンシングとその応用)
• バースト1 Tpixel/s と連続 780Mpixel/s の撮像速度を有するグローバルシャッタ高速CMOSイメージセンサ
• 紫外光高感度・高信頼性を有する原子オーダー平坦Si表面を用いたフォトダイオードのドーパントプロファイル
• 画素ソースフォロワ相当の埋め込み・表面チャネルトランジスタのランダム・テレグラフ・ノイズ統計的解析(固体撮像技術および一般〜IEDM, SPIE EI, ISSCC特集〜)
• 19-8 高速CMOSイメージセンサによる毎秒1000万コマ以上の撮像(第19部門[テーマ講演]科学技術のフロンティアを切り拓くイメージセンサ技術)
• 超高速ビデオ撮像素子技術(固体撮像技術および一般〜IEDM, SPIE EI, ISSCC特集〜)
• 浮遊容量負荷読み出しを用いたCMOSイメージセンサ(高機能イメージセンシングとその応用)
• オンチップ高透過積層膜を有する紫外光高感度・高信頼性Siフォトダイオード(高機能イメージセンシングとその応用)
• White-RGBイメージセンサを用いた仮想カラーフィルタ情報の追加による被写体のスペクトル推定精度の改善(インタラクティブシステム・画像入力デバイス・方式,バイオメトリクス,及び一般)
• 200-1000nmの広光波長帯域に感度を有する高紫外光照射耐性CMOSイメージセンサ(イメージセンサ,カメラ信号処理,画像評価関連技術,及び2013IISWとVLSIシンポジウムからの発表報告)
• 20Mfpsの撮像速度を有する超高速CMOSイメージセンサの画素構造(固体撮像技術および一般)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク