内部量子効率100%のPD技術とオンチップ高透過積層膜を組み合わせた紫外光高感度・高信頼性Siフォトダイオード(プロセス科学と新プロセス技術)
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概要
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紫外光帯域を含む広光波長帯域の光に対し高感度で,かつ経時的な感度劣化を生じないセンサ実現のために,高い内部量効率を得るフォトダイオード形成技術と,SiO_2と消衰係数の低いSiNから成るオンチップ高透過積層膜とを組み合わせたフォトダイオードの作製・評価を行った.本報告では,試作したフォトダイオードで紫外光に対し高い感度と高い耐性を得た結果を示し,また積層膜の構成や膜厚を制御することで,所望の波長帯域で高感度化できることを示す.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-10-10
著者
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