シリコンLSI : 微細化に替る高性能化の道(プロセス科学と新プロセス技術)
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概要
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完全に行き詰まったシリコンLSI技術を進歩させる方向の提案。すべての面方位のシリコン表面上にLSI製造できる技術を創出し、(551)面Accumulation Mode CMOSでnMOSとpMOSの寸法が等しいバランスドCMOSを具現化して、フルCMOSシステムLSIを実現する。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-10-18
著者
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
田中 宏明
東北大学大学院工学研究科
-
須川 成利
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
黒田 理人
東北大学大学院工学研究科技術社会システム専攻
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター:東北大学wpiリサーチセンター
-
田中 宏明
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
中尾 幸久
東北大学大学院工学研究科
-
Ohmi Tadahiro
The New Industry Creation Hatchery Center (niche) Tohoku University
-
Ohmi Tadahiro
Department Of Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Tohoku University:(present Addre
-
黒田 理人
東北大学大学院工学研究科
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
-
諏訪 智之
東北大学未来科学共同センター
-
田中 宏明
東北大学未来科学共同センター
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