高密度プラズマによる高品質シリコン直接酸化技術
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概要
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新たに開発したイオン照射エネルギが7eV以下と非常に低い高密度プラズマ源を用いてシリコンの直接低温酸化を430℃という低温でおこなった。得られた酸化膜の絶縁耐圧は15.8MV/cm、Q_BD値は12C/cm^2と従来の高温酸化によるものに匹敵する膜質を有していることを電気的特性により明らかにした。また、プラズマを用いた酸化では酸素原子の励起が重要であり、酸化膜の膜質は成膜時の励起酸素原子に大きく依存し、Heを用いることで酸素原子の励起を促進することができ、成膜した酸化膜の膜質を向上できることを明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-08-20
著者
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
平山 昌樹
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
平山 昌樹
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
海原 竜
東北大学大学院電子工学専攻
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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