菊地 英幸 | (株)富士通研究所 ストレージシステム研究所
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概要
関連著者
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菊地 英幸
(株)富士通研究所 ストレージシステム研究所
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菊地 英幸
山形富士通
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(株)富士通研究所 ストレージシステム研究所
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首都大学東京
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首都大学東京
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山形富士通次世代媒体開発推進室
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山形富士通次世代媒体開発推進室
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(株)富士通研究所
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山形富士通
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西尾 和之
神奈川科学技術アカデミー
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菊池 英幸
(株)富士通研究所
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小林 和雄
株式会社富士通研究所ペリフェラルシステム研究所
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株式会社富士通研究所磁気ディスク研究部
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菊地 英幸
株式会社富士通研究所磁気ディスク研究部
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超伝導工研
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松本 幸治
富士通研
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鈴木 義茂
電総研
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森河 剛
富士通研究所
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上村 拓也
富士通研
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畠山 翔
首都大学東京
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菊地 英幸
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中尾 宏
(株)山形富士通磁気媒体統括部
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(株)富士通研究所ストレージシステム研究所
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(株)山形富士通磁気媒体統括部
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(株)富士通研究所基盤技術研究所
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(株)富士通研究所基盤技術研究所
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(株)富士通研究所基盤技術研究所
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富士通株式会社
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菊池 英幸
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安井 憲志
東京都立大学:(現)三浦工業
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西尾 和之
首都大学東京 大学院都市環境科学研究科
著作論文
- 強磁性トンネル接合の低抵抗化検討
- 窒化アルミニウムバリアを用いたTMR膜の諸特性
- 強磁性トンネル接合の低抵抗領域での特性
- CoFe層を持つスピンバルブライク強磁性トンネル膜
- トンネル型磁気抵抗素子の開発と磁気ヘッド, MRAMへの応用
- スピンバルブ型トンネル接合のMR (特集 スピントンネルMRとその応用動向)
- スピンバルブ型TMR材料
- CoFe磁性層を持つ強磁性トンネル接合膜
- 強磁性トンネル接合における界面酸化の影響
- スピンバルブ型強磁性トンネル接合
- スピンバルブ型トンネル接合
- 酸素プラズマ放電による強磁性トンネル接合の作製
- Spin-valve-like トンネル膜の熱処理効果
- ナノインプリント法により作製された秩序配列アルミナナノホールパターンドメディア
- ナノホール垂直パターンドメディアの作製とリードライト特性
- ナノホール垂直パターンドメディア(高密度記録媒体の開発とその関連技術の進展)
- ナノホール垂直パターンドメディア
- 強磁性トンネル接合の低抵抗領域での特性
- スピンバルブ型強磁性トンネル接合
- 酸素プラズマ放電による強磁性トンネル接合の作製
- Siの異方性エッチングと直接接合を用いた微小液滴形成ユニットの研究(機構デバイス)
- 29a-U1-4 γ-Fe/Cu人工格子成長過程のRHEEDによるその場観察