強磁性トンネル接合の低抵抗領域での特性

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概要

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• Ferromagnetic tunnel junctions were fabricated by UHV magnetron sputtering in various Al thicknesses and oxidization conditions. The relationship between RS (junction resistance×area) values and magneto-resistance ratio (MR) was studied. Junctions with RS values over 10 Ω μm^2 showed MR ratios over 20%. Samples with RS values below about 10 Ω μm^2, however, showed MR ratios that decreased with decreasing RS value, and breakdown voltages of those junctions also decreased. The breakdown processes of the junctions with low resistance suggest the existence of pinholes or defects, which cause decreases in RS and MR. By optimizing Al thickness and oxidizing conditions, we obtained a junction with an MR ratio of 20% and an RS value of 7.8 Ωμm^2.

• 社団法人日本磁気学会の論文
• 2001-04-15

著者

• 佐藤 雅重

  (株)富士通研究所 ストレージシステム研究所

• 佐藤 雅重

  富士通研究所 基盤技術研究所 シリコンデバイス研究部

• 小林 和雄

  (株)富士通研究所 ストレージシステム研究所

• 菊地 英幸

  (株)富士通研究所 ストレージシステム研究所

• 菊地 英幸

  富士通研究所

• 小林 和雄

  富士通研究所

• 張 依群

  (株)富士通研究所

• 張 依群

  富士通

• 菊地 英幸

  山形富士通

• 小林 和雄

  富士通研

• 小林 和雄

  (株)富士通研究所

• 菊池 英幸

  山形富士通

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