磁化固定層をもつ強磁性トンネル接合の磁気抵抗効果 (<特集>多層膜・人工格子・グラニューラー)
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概要
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Ferromagnetic tunnel junctions having naturally oxidized Al barriers were fabricated by magnetron sputtering. The junctions were patterned to 0.01 mm^2 with metal masks. The tunnel resistance values varied broadly from 0.1 to 3000 ohms according to the oxidization conditions. Junctions with slightly oxidized (<5 hours) Al barriers had low tunnel resistances. Some of these junctions showed extraordinarily large MR ratios (10-80%), others had different tunnel resistances according to the current-flow path. In contrast, junctions with well oxidized (>100 hours) Al batriers exhibited higher tunnel resistances and good stability. The Ni-Fe/Co/Al-AlO_x/Co/Ni-Fe/Fe-Mn/Ni-Fe junction showed a spin-valve-like R-H property. The MR ratio was 10% for a 20 Oe magnetic field. The barrier height calculated from the I-V characteristics was 1.4 eV, and the barrier width was 1.5 nm.
- 社団法人日本磁気学会の論文
- 1997-04-15
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