強磁性トンネル接合のスピンバルブライク特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
メタルマスクを用い, マグネトロンスパッタ法により, 0.01mm^2の大きさの強磁性トンネル接合を作製した。AI膜を大気中で自然酸化することによりAl_2O_3絶縁層を形成した。酸化時間を短くした接合は低い抵抗値を示し, 非常に大きな抵抗変化率 (10〜80%) を示したが, 経時変化があり不安定であった。一方, 酸化時間を長くし, 十分酸化させた接合は, 高い抵抗値を示し, 経時変化のない安定な接合であった。この条件で, Fe-Mnにより片側の磁性層を固定した接合では, スピンバルプライクな特性が得られ, 20 Oeの磁場で10%の抵抗変化率を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-01-24
著者
関連論文
- 強磁性トンネル接合の低抵抗化検討
- 窒化アルミニウムバリアを用いたTMR膜の諸特性
- 強磁性トンネル接合の低抵抗領域での特性
- CoFe層を持つスピンバルブライク強磁性トンネル膜
- トンネル型磁気抵抗素子の開発と磁気ヘッド, MRAMへの応用
- スピンバルブ型トンネル接合のMR (特集 スピントンネルMRとその応用動向)
- スピンバルブ型TMR材料
- CoFe磁性層を持つ強磁性トンネル接合膜
- 強磁性トンネル接合における界面酸化の影響
- スピンバルブ型強磁性トンネル接合
- スピンバルブ型トンネル接合
- 酸素プラズマ放電による強磁性トンネル接合の作製
- Spin-valve-like トンネル膜の熱処理効果
- 磁化固定層をもつ強磁性トンネル接合の磁気抵抗効果 (多層膜・人工格子・グラニューラー)
- 強磁性トンネル接合のスピンバルブライク特性
- Co/Al-AlOx/NiFe(/FeMn)接合の強磁性トンネル効果
- Co系グラニュラー膜の多層化とそのGMR特性
- CoリッチCo-Agグラニュラー/Cu多層膜のGMR特性
- CoリッチCo-Cuグラニュラー/Cu多層膜のGMR特性
- 強磁性トンネル接合の低抵抗領域での特性
- スピンバルブ型強磁性トンネル接合
- 酸素プラズマ放電による強磁性トンネル接合の作製
- ストレージ技術のフロンティア
- 磁性応用の研究を振り返って
- CoPt-ZrO_2磁性薄膜の磁気特性
- MFMによるHc>3 kOeの媒体における磁気クラスター解析
- Hc;2〜3kOeのCoCrTaPt媒体のMFMによる磁気クラスター解析
- Hc ; 2〜3kOeのCoCrTaPt媒体のMFMノイズ解析
- MFMによるCoCrTa面内記録媒体ノイズの二次元解析
- 長手磁気記録媒体におけるMFM像に及ぼす探針磁化方向の影響および面内磁場解析について (磁気記録媒体)
- 4p-M-6 Te添加MnBi膜のHc
- NiFe/NiMn, NiFe/PdMn積層膜における一軸異方性磁界
- トンネルGMRの目ざすもの (特集 群雄割拠,最先端技術に湧く--デ-タストレ-ジ操縦法(1)) -- (磁気ヘッド最前線)
- 電子顕微鏡による薄膜磁気ヘッドの磁区観察