25a-T-3 Cu-Pt合金の相安定性についての電子論的考察
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1992-09-14
著者
-
滝沢 聡
北海道大学大学院工学研究科材料科学専攻
-
寺倉 清之
物性研
-
寺倉 清之
産総研
-
寺倉 清之
Jrcat
-
寺倉 清之
融合研(jrcat)
-
毛利 哲雄
北大工
-
滝沢 聡
北大工
-
毛利 哲雄
北海道大学大学院工学研究科材料科学専攻
-
毛利 哲雄
北大
-
Mukai Toshiji
Research Center For Advanced Science And Technology University Of Tokyo
関連論文
- 28p-U2-3 NiSの電子構造と磁性
- 30aYA-6 量子ドットにおける連続状態とファノ効果(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
- 23pXA-7 金属/TiO_2界面の構造とその特性の第一原理計算(23pXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pWP-2 Ge/Si(105)-2×1表面の高分解能AFM観察(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 第一原理計算による(DI-DCNQI)_2Cuの高圧下における構造と電子状態
- 27p-Y-8 DCNQI系の第一原理電子状態計算
- 26aPS-8 Sio_2/Si(001)界面の電子構造
- 29a-PS-9 SiO_2/Si(001)界面構造と電子状態(II)
- 27a-PS-11 SiO_2/Si(001)界面構造と電子状態
- 31a-PS-20 SiO_2/Siの界面構造(II)
- 7a-PS-31 SiO_2/Siの界面構造
- 12a-S-16 α, β Mnの電子状態-I
- 28a-ZH-7 III-V族化合物半導体超格子の光学遷移
- 28p-X-2 Si-Ge超格子の電子状態
- 2p-D-10 Si-Ge超格子の光学遷移強度
- 30a-Z-1 Si-Ge超格子の電子構造計算 : 界面での混晶化の効果
- MBEの分子動力学シミュレーション
- 28p-PS-9 酸化物高温超伝導体の電子状態
- 29a-O-10 MBEの分子動力学によるシミュレーション
- 酸化物高温超伝導体の構造と電子状態
- 4a-B-4 MnO, FeO, CoO, NiOはMott insulatorか?
- 28a-P-3 遷移金属酸化物の電子状態と磁性
- 30a-BB-9 強磁性遷移金属の有限温度の磁性
- 30a-D-11 キュリー点以上での鉄の磁気的性質
- 4a-NS-4 鉄の隣接原子間交換相互作用 II
- 1a-R-7 鉄の隣接原子間交換相互作用 I
- 金属間化合物NiAlの非化学量論組成における熱伝導度と電気伝導度
- 29p-N-13 CsCl型2元合金の熱伝導率
- LaVO_3とYVO_3の軌道整列
- 31p-R-12 La_Ba_xMnO_3のバンド構造
- 31p-R-11 LaCo_Ni_xO_3の相安定性と磁性
- 2p-Z-12 ペロブスカイト型遷移金属酸化物のバンド構造
- 3p-G-3 NiSの電子状態
- 3p-WB-3 FLAPW法によるグラファイトの電子状態の計算
- 2a-RJ-1 Mo,Wの表面再構成の温度依存性
- 13a-W-14 人工層状物質の原子配列の解析:Fe-V
- 3a-NM-2 Nb,Mo,W(001)表面の原子構造
- 31a-J-11 Mo, W(001)表面原子再配列 II
- 5p-D-9 第一原理分子動力学法による定圧問題への応用
- 30p-E-2 第一原理分子動力学法によるシリカの圧力依存性II
- 27a-ZM-4 第一原理分子動力学法によるシリカ多形の安定構造の圧力依存性
- 第1原理計算でどこまで行けるか? (鉱物学この10年の進歩と将来)
- 2p-E-5 第一原理分子動力学法によるSi(001)表面アルカリ吸着系の構造最適化II
- 31a-TA-9 Si(001)面再配列構造と古典的ポテンシャル : 擬ポテンシャル法との比較及び検討
- 分子動力学法によるMBE結晶成長シミュレーション
- Si(001)再構成表面の秩序・無秩序転移
- 電子状態計算の役割 (高温超伝導--物質,物性,理論) -- (電子構造)
- 電子状態計算と物質設計システム (計算物理特集号)
- 20pWF-13 メタンハイドレイトの圧力誘起構造相転移
- 26aYE-11 正方晶BaTiO_3誘電率異方性の第一原理的研究(誘電体(BaTiO_3関連),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 20pXA-4 正方晶BaTiO_3誘電率異方性の第一原理的研究(誘電体(BaTiO_3系・SrTiO_3系),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 26pXC-6 Ge/Si(105)の第一原理計算(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 31aWD-9 Ge/Si(105)1×2 のリボンデッド S_B ステップ・モデル
- 3a-S-12 強磁性鉄中の非磁性不純物核の見る内部磁場(Hnf)
- 谷口国際シンポジウム理論物性学部門「遷移金属合金のd状態」
- 1a GC-13 強磁性遷移金属柱の非遷移不純物核のみる電子構造
- 5a-BJ-5 強磁性遷移金属中不純物の内部磁場とS-d混成
- 5a-BJ-4 格子間不純物の電子状態 II
- 1p-BE-11 遷移金属における格子間不純物の電子状態
- 13a-M-11 Pd中の非遷移金属不純物のNMRのT_1
- 1a-F-7 CPAとPseudo-Greenian
- 3p-B-4 Pd 及び Fe 中の非遷移金属不純物
- 6p-G-15 遷移金属及び合金の電子構造の計算 : pseudo-Greenian の方法
- 7a-B-11 遷移金属バンド計算における近似方法
- Overcomplete SetとGreen関数 : 物性基礎論・統計力学
- 新規化合物探索のための電子論計算に基づくAB二元系化合物の安定性評価と四元系金属間化合物への拡張
- 23aPS-1 乱雑位相近似による固体の全エネルギー計算
- 3p-C4-4 Si(100)2x1/K(被覆度=1/2,1)の電子状態
- CuPt合金の圧力誘起構造相転移の理論II
- 1p-W-2 負金属の構造安定性
- 31a-W-4 CuPt合金の圧力誘起相転移
- 30a-J-2 局所スピン密度汎関数近似と自己相互作用補正
- 27a-Y-3 Si(001)清浄表面の秩序・無秩序転移のシミュレーション
- 31a-TA-10 第一原理分子動力学法によるSi(001)表面アルカリ吸着系の構造最適化
- 金森順次郎, 大阪と自然科学, 国際高等研究所, 2001, 76p., 12.5/18.5cm, 700円, 高等研選書15, 一般書
- 30p-D-4 Si(111)2×1/Alkali系の電子状態
- 28p-D-7 NbC, TaC(001) の表面フォノン
- 22pXC-4 自己組織化のシミュレーションにおける課題
- 28a-YP-12 α, βMnの電子状態-II
- 物性研究所の大学院問題に対する一見解 (「今,大学院が変わろうとしている : その3」)
- 31p-PSA-12 GGAによるMnの電子状態
- 25a-T-3 Cu-Pt合金の相安定性についての電子論的考察
- 26a-PS-50 GGAによるMn、Co、Niの電子状態 : Fixed Spin Moment 法
- 30a-APS-3 非局所密度汎関数法による遷移金属の電子状態 III
- 3p-PS-49 非局所密度汎関数法による遷移金属の電子状態
- 電子状態理論における、アルゴリズムに関する新しい流れ
- 第1原理計算状態図と材料設計への応用 (計算機による材料設計)
- 合金熱力学量と相平衡状態図の第一原理計算
- 29p-U-13 Mo, W(001)表面での原子再配列の理論
- 27a-T-5 遷移金属及び遷移金属中不純物のT_1と内部磁場
- 30p-K-9 電子状態理論における、アルゴリズムに関する新しい流れ
- 4a-A2-3 半導体中の異常ミュオニウムの電子状態(II)
- バンド理論と超伝導体 (超伝導新理論の展望)
- 29a-SB-26 supercell法による遷移金属中不純物の電子構造の研究
- 27a-C-8 局在軌道理論による半導体超微粒子の原子構造と電子構造の研究
- 3p-E-7 局在軌道からなるminimal-basis setによる表面電子状態の計算 : ダイヤモンド表面
- 3p-E-6 局在軌道からなるminimal-basis setの決定法
- 1p-K3-7 (Ni,Pd,Pt)-(Cu,Ag,Au)系合金の相安定性(金属)
- 31p-D1-3 遷移金属の内部磁場に対するSIC補正(31p D1 磁性(電子状態))
- 30p-BD-10 種々の結晶構造でのBNの電子状態(30p BD イオン結晶・光物性(低次元,層状物質))