C-10-8 n-InPソースを持つTゲート構造InGaAs-MOSFETの高周波特性(C-10.電子デバイス)

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概要

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• 一般社団法人電子情報通信学会の論文
• 2013-03-05

著者

• 宮本 恭幸

  東京工業大学

• 佐賀井 健

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 上原 英治

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 大澤 一斗

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

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