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上原 英治 | 東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻
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関連著者
宮本 恭幸
東京工業大学
佐賀井 健
東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻
上原 英治
東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻
大澤 一斗
東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻
著作論文
C-10-8 n-InPソースを持つTゲート構造InGaAs-MOSFETの高周波特性(C-10.電子デバイス)
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