C-2-22 GaN HEMTを用いたS帯高耐電力低雑音増幅器(C-2. マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)

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概要

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• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2008-03-05

著者

• 山中 宏治

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 湯川 秀憲

  三菱電機株式会社

• 山中 宏治

  三菱電機株式会社

• 湯川 秀範

  三菱電機株式会社

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