C-2-39 90nm Si-CMOSプロセスを用いた60GHz帯Series/Shunt形高耐電力T/Rスイッチ(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)

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概要

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• 2011-02-28

著者

• 亀田 卓

  東北大学電気通信研究所

• 高木 直

  東北大学電気通信研究所

• 坪内 和夫

  東北大学電気通信研究所

• 高木 直

  三菱電機株式会社

• 高木 直

  三菱電機

• 高木 直

  東北大学 電気通信研究所

• 坪内 和夫

  東北大学 電気通信研究所

• 末松 憲治

  三菱電機株式会社

• 末松 憲治

  東北大学電気通信研究所

• 高木 直

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 末松 憲治

  東北大学電気通信研究所ブロードバンド工学研究部門

• 谷藤 正一

  東北大学電気通信研究所

• 堀内 和夫

  早稲田大学名誉教授

• 谷藤 正一

  東北大学 電気通信研究所

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