90nm CMOSプロセスを用いた60GHz帯高利得LNA(マイクロ波超伝導/マイクロ波一般)
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概要
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90nmシリコンCMOSプロセスを用いた60GHz帯LNAの高利得化について検討を行った.より高いゲイン特性を得るために7段からなるLNAを設計した.初段ではソースインダクタの最適化を行うことにより50ΩマッチングやNFの最適化を図った.中間の2〜6段はゲイン向上のためにソースインダクタを省いた.出力段では安定化のためにやや長めのソースインダクタを付加した.以上の方針で設計したチップを試作し,実測評価を行った.LNA全体のチップサイズは0.5mm×0.7mmであった.実測の結果,ピークゲインは23.5dB@64GHz,最小NFは5.2dB@57GHzであった.また,LNA全体の消費電力は21.2mWであった.
- 2011-04-08
著者
-
亀田 卓
東北大学電気通信研究所
-
高木 直
東北大学電気通信研究所
-
坪内 和夫
東北大学電気通信研究所
-
末松 憲治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
高木 直
三菱電機株式会社
-
高木 直
三菱電機
-
タ トァン
東北大学電気通信研究所
-
高木 直
東北大学 電気通信研究所
-
坪内 和夫
東北大学 電気通信研究所
-
タ トゥアン
東北大学電気通信研究所
-
末松 憲治
三菱電機株式会社
-
末松 憲治
東北大学電気通信研究所
-
五明 克規
東北大学電気通信研究所
-
高木 直
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
末松 憲治
東北大学電気通信研究所ブロードバンド工学研究部門
-
谷藤 正一
東北大学電気通信研究所
-
堀内 和夫
早稲田大学名誉教授
-
谷藤 正一
東北大学 電気通信研究所
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