共鳴トンネルダイオードの室温テラヘルツ発振 (電子デバイス)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 電子情報通信学会の論文
- 2010-12-16
著者
関連論文
- スパイクドーピングにより低電圧化した共鳴トンネルダイオードテラヘルツ(0.8-0.9THz)発振器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 共鳴トンネルダイオードによるサブテラヘルツ : テラヘルツ発振器
- Si基板上弗化物系サブバンド間遷移レーザの理論解析
- Si基板上弗化物系サブバンド間遷移レーザの理論解析(シリコン系量子効果デバイス,量子効果デバイス及び関連技術)
- Si基板上弗化物系サブバンド間遷移レーザの理論解析(シリコン系量子効果デバイス,量子効果デバイス及び関連技術)
- ナノ領域成長を用いたSi(100)基板上弗化物系共鳴トンネルダイオード(光・電子ナノデバイス)
- Si基板上(CdF_2/CaF_2)サブバンド間遷移レーザ構造のEL発光特性(光・電子ナノデバイス)
- ナノ領域成長を用いたSi(100)基板上弗化物系共鳴トンネルダイオード(光・電子ナノデバイス)
- Si基板上(CdF_2/CaF_2)サブバンド間遷移レーザ構造のEL発光特性(光・電子ナノデバイス)
- CI-2-3 共鳴トンネルダイオードによる室温テラヘルツ発振(CI-2.テラヘルツ波源デバイスの現状と展望,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- C-10-8 負性抵抗デュアルチャネルトランジスタを用いたテラヘルツ発振器の解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 共鳴トンネルダイオードを用いた室温テラヘルツ発振器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- テラヘルツ信号の光生成キャリアによる光信号からの直接変換(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 二次元電子ガスを用いた半導体クライストロン素子の作製とミリ波帯における特性評価(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 二次元電子ガスを用いた半導体クライストロン素子の作製とミリ波帯における特性評価
- CS-11-6 量子効果電子デバイスによるTHz波発生(CS-11.テラヘルツ波技術の進展と実用化への展望,シンポジウム)
- 2.テラヘルツ波の発生 : 電子デバイスからのアプローチ(テラヘルツテクノロジー-未知の電磁波がもたらすブレークスルー-)
- 高精度半導体結晶成長制御技術による共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器の実現 (特集 NTT R&Dのオープンイノベーションをリードする大学連携)
- 共鳴トンネルダイオードの室温テラヘルツ発振 (電子デバイス)
- 共鳴トンネル構造における光支援トンネルとテラヘルツデバイス
- 電子デバイスによる室温テラヘルツ発振
- グレーデッドエミッタによる共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振素子の走行時間短縮(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 共鳴トンネルダイオードの室温テラヘルツ発振(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- Visible Light Emission from Nanocrystalline Silicon Embedded in CaF_2 Layers on Si(111)(Special Issue on Quantum Effect Devices and Their Fabrication Technologies)
- 共鳴トンネルダイオードのテラヘルツ発振とレーザー光照射による出力の変調