N^+ビーム照射で形成したSi酸窒化膜における窒素化学結合状態の放射光X線光電子分光測定
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概要
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Atomic N+ ions with 3 keV translational kinetic energy, which were mass separated by using a Wien filter, were irradiated at SiO2/Si(001) surfaces. By applying high energy resolution photoemission spectroscopy with synchrotron radiation, it was found that the SiO2 overlayer (1.6 nm∼2.8 nm) and the interface were effectively nitrided even at room temperature as well as the Si(001) substrate. N-1s photoemission spectra for the nitrided SiO2/Si(001) were deconvoluted into four component peaks. They were assigned to (a) N(-Si)3, (b) N(-SiO)3, (c) (H-)2N-Si, and (d) O-N(-Si)2, respectively.
- 日本真空協会の論文
- 2005-05-20
著者
-
寺岡 有殿
日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門
-
寺岡 有殿
原研
-
鉢上 隼介
原研
-
鉢上 隼介
日本原子力研究所放射光科学研究センター
-
寺岡 有殿
日本原子力研究開発機構
-
寺岡 有殿
日本原子力研究所放射光科学研究センター
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