高誘電率薄膜成膜技術

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 表面技術協会の論文
• 1997-11-01

著者

• 川原 孝昭

  三菱電機(株)先端技術総合研究所プロセス基礎技術部

• 川原 孝昭

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

関連論文

• 高誘電率材料(Ba,Sr)TiO_3を用いた1G DRAM対応キャパシタ技術
• 高誘電率材料(Ba,Sr)TiO_3を用いた1G DRAM対応キャパシタ技術
• 溶液気化CVD法による(Ba, Sr)TiO_3高誘電率薄膜形成
• 高誘電率薄膜成膜技術

スポンサーリンク