Si上GaAsによる光導波路と量子閉込めシュタルク効果による光スイッチ
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概要
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Si基板上に作製したAlGaAs光導波路の特性をGaAs基板上のものと比較した。Si基板上の導波路の伝送損失はGaAs基板上の導波路に比べて大きいが、これは表面のラフネスと熱膨張係数のミスマッチのため厚い成長層にはクラックが入ることによる。また、量子閉込めシュタルク効果を利用した光スイッチをSi基板上に作製した。吸収端のシュタルクシフトはGaAs基板上のものとほぼ同じである。これらの受動デバイスは動作中に特性変化を起こさず、光集積回路用の高信頼素子となる。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-07-25
著者
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