ゼロギャップ半導体 HgS_xTe_<1-x>(0<x≤0.2)の遠赤外反射スペクトル
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概要
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HgS_xTe_<1-x> single crystals were prepared for the composition x<0.3. The lattice constant changes linearly and obey the Vegard's law. The far-infrared reflection spectra were measured for the wavenumber of 500-900cm^<-1> at the temperature of 10-300°K. The dielectric functions derived using classical oscillator model, Drude's free carrier model, and interband transition are used for the far-infrared reflection spectra analysis. Dispersion parameters are obtained through the computer fitting procedure between the experimental and calulated reflection spectra. Band parameters are derived using these dispersion parameters and the band structure for the system is discussed.
- 東海大学の論文
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