2p-K-10 インジウムチオスピネルCoIn_2S_4の構造および光学的性質

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1982-03-15

著者

• 若木 守明

  東海大学工学部

• 若木 守明

  東海大工

• 小出 明

  東海大学工学研究科

• 小出 明

  東海大工

• 新谷 治

  東海大工

• 新谷 治

  日本分光

関連論文

• C-4-11 光伝導半導体と4K冷凍機を用いる高感度THz検出器システム(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• キシリトール石灰化促進剤を用いたハイドロキシアパタイトへの石灰化効果の研究
• 構造および光学的評価を用いたハイドロキシアパタイトに対する脱灰、石灰化処理効果の研究
• In-チオスピネル化合物FeIn_2S_4の構造パラメータ及び光学的性質
• 3a-A-2 InチオスピネルCrIn_2S_4の構造パラメータおよび遠赤外反射スペクトル
• 3a-A-1 InチオスピネルFeIn_2S_4単結晶の吸収端近傍の吸収スペクトル
• ゼロギャップ半導体HgSxTe1-x(0
• ゼロギャップ半導体 HgS_xTe_(0
• 30a-E-3 Bi_SiO_単結晶の赤外吸収スペクトル
• 単結晶シリコン表面の反射防止構造の作製および評価
• 光学薄膜における光散乱計測方法の検討
• C-4-5 300K背景放射限界の検出性能を有する広帯域(0.8-4THz)4K冷凍機冷却THz光伝導半導体検出器システム(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 高出力LEDを用いた配光制御型照明器具の開発
• 高出力LEDを用いたカラーホログラム照明装置の開発
• 5a-S4-16 不純物ドープInチオスピネル化合物の光学的、電気的性質
• MBE成長高濃度p型GaAsの過剰減衰LOフォノン-プラズモン結合モードによるラマン散乱
• Auナノ粒子をドープしたTiO2薄膜の紫外及び可視光照射における光触媒活性
• 26a-G-7 n,p型 heavy-doped Hg_Cd_xTeの遠赤外スペクトル
• Cr:Al_2O_3セラミックス中光学活性CrイオンのSNOMによる空間分布の解析
• Crを高濃度に添加したAl_2O_3焼結体の光学特性
• 27p-A-15 スパッタ成膜ZnO光導波路の成膜条件と伝搬損失II
• 27p-A-14 スパッタ成膜ZnOの光学吸収端近傍のスペクトル
• 光導波路用スパッタ成膜ZnO薄膜の構造評価と光学的性質
• 2a-X-7 スパッタ成膜ZnOのC軸配向と光学吸収端近傍のスペクトル
• 非晶質相-結晶相共存複合材料Se-Co系の構造及び基礎物性
• ポリイミドを用いた可変形ミラーの試作
• CVD法及びPVD法で成膜した炭素膜のRaman散乱による構造評価
• 周波数領域干渉を用いた新しい複屈折率差,偏波モード分散評価法の開発
• 特殊共振器鏡を用いたCO_2レーザー出力の偏光特性
• 新しい型の2次元マルチチャンネルフーリエ分光計の開発と実用化-干渉縞連結による分解能の向上-
• 光の弱局在現象における基本的因子の検討
• 匠の世界 : ガラス細工50年
• 有効媒質近似を用いたGaNナノ針状構造の光学モデルの構築
• その場観察偏光解析法によるAs_2S_3カルコゲナイドガラスにおけるフォトドーピング現象の研究
• MBE成長n-GaAsのLOフォノン-プラズモン結合モードによるラマン散乱
• 2a-A-12 MnIn_2S_4の光学的性質(II)
• 宇宙観測用遠赤外・サブミリ波検出器の現状と将来(新工学部記念号)
• 紫外・可視光を用いた多機能共焦点レーザー走査顕微鏡の開発
• 熱電変換特集号(V)刊行にあたって
• 生体における光物性研究
• フェムト秒パルスレーザーを用いた光導電スイッチ中における非線形光電流に関する研究
• インド皆既日食旅行記
• 学問と階層構造雑感
• 3a GB-7 HgCr_2Se_4の温度変調光スペクトル
• 6a-J-7 コヒーレント後方散乱における吸収色素を用いた経路長の測定
• コヒーレント後方散乱における全経路長の測定
• 等温気相成長によるHg_Cd_xTe層の作製および光学的評価
• 2a-KC-7 IN-チオスピネルNiIn_2S_4の結晶構造及び光学的性質
• 修正指数関数を用いた非晶質の動径分布解析
• 13a-PS-19 部分的逆スピネル化合物M_9In_2S_4の格子振動
• 12p-D-8 遷移金属をドープしたa-Seについての動径分布解析及び光学的性質
• 30a-L-8 In-チオスピネル型化合物 : CaIn_2S_4の光学的性質
• 2p-K-10 インジウムチオスピネルCoIn_2S_4の構造および光学的性質
• 3p-C3-3 遷移金属ドープIn_2O_3単結晶の光学的性質(IV)
• 30a-E-5 Mgおよび遷移金属ドープIn_2O_3単結晶の光学的性質
• 30a-E-4 フラックス法で成長したCuドープZnO単結晶の赤外スペクトル
• 3a-A-3 MgをドープしたIn_2O_3単結晶の遠赤外反射スペクトル
• 2a-KC-8 正スピネル化合物HgIn_2S_4の格子振動
• 光技術の未来 (特集 光)
• ZnO薄膜光導波路中の光伝搬損失機構および三次元光導波路の試作
• 非コリメート光学系を用いたウォラストンプリズムマルチチャンネルフーリエ分光計の試作と光学系の検討
• 等温気相成長法によりCdTe基板上に成長したHg_Cd_xTe層の光応答
• 薄膜の物理的性質評価-5-光学的性質の評価法
• Bi_SiO_(BSO)及びBi_GeO_(BGO)の可視及び赤外領域での光学的性質
• 29a-A-10 ナローギャップ半導体HgSxTe_(X
• 11p-E-15 MIn_2S_4(M=Co,Mn)の基礎吸収端近傍の光学的性質
• 光音響分光についての基礎的研究 : 幾つかの粒状及び薄膜試料への応用
• 3p-NE-16 MnIn_2S_4の光学的.電気的性質
• MgIn_2S_4の構造因子決定とその光学的性質
• 反射スペクトルの測定誤差の光学定数におよぼす影響
• 2a-S-5 HgIn_Cr_S_4 (0≦x≦1)の磁性
• 1p-BJ-15 HgIn_2S_4 の光学的. 電気的性質
• POs-Ca石灰化促進剤を用いたハイドロキシアパタイトへの石灰化効果の研究
• 1a-L2-1 ゼロギャップ半導体HgSexTe1-xの光学的,電気的性質(半導体,(ナローギャップ半導体・輸送現象))
• 27a-LE-8 アモルファスSeのCoドープによる結晶化(II)(半導体)
• 30p-LM-2 遷移金属ドープIn_2O_3単結晶の光学的性質(II)(イオン結晶・光物性)
• 31a-B2-2 Bi_GeO_単結晶の赤外吸収スペクトル(イオン結晶・光物性)
• 31a-G-3 ゼロギャップ半導体HgSe_xTe_の光学的、電気的性質(II)(31aG 半導体(ナローギャップ,擬一次元系))
• 29p-BD-9 MgをドープしたIn_2O_3単結晶のラマンスペクトル(29p BD イオン結晶・光物性(磁性体,ラマン散乱,有機物))
• 29a-TE-1 遷移金属ドープIn_2O_3単結晶の光学的性質(V)(29aTE イオン結晶・光物性(局在中心))
• 28p-TH-2 結晶構造モデルによるマイクロ波回折実験(28pTH 物理教育)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク