Formation of Ultra-Shallow, Low-Leakage and Low-Contact-Resistance Junctions by Low-Temperature Si-Encapsulated Silicidation Process
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概要
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- 1997-09-16
著者
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
Ohmi Tadahiro
Department Of Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Tohoku University
-
INO Kazuhide
Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University
-
TANIGUCHI Yoshiyuki
Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University
-
Taniguchi Yoshio
Department Of Functional Polymer Science Faculty Of Textile Science And Technology Shinshu Universit
-
Taniguchi Yoshio
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.
-
Ohmi Tadahiro
Department Of Electronic Engineering
-
Ino Kazuhide
Department Of Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Tohoku University:laboratory For
-
Ino Kazuhide
Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering Tohoku University
-
Taniguchi Yoshiyuki
Department of Chemistry, Kyushu University 33
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