触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてa面サファイア基板上に成長したZnOエピタキシャル膜の結晶構造
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
白金ナノ粒子表面での水素と酸素の自己発熱反応を利用して高温のH_2Oを生成し、気相中でアルキル亜鉛ガスと衝突させ高エネルギーZnOプリカーサを生成、a面サファイア基板に供給しZnO膜を作製した。様々な厚さのZnO膜を成長させそれらの電気伝導特性を調べたところ、約2800nmまで膜厚の増加に伴い移動度は大きくなり500nm以下とそれ以上の膜厚で大きく電気伝導特性が異なり基板-膜界面に高密度の欠陥を有する層の存在が窺われた。膜厚約5μmのZnO膜について透過電子顕微鏡観察によりZnO膜の結晶構造について調べたところ結晶粒界は観察されず、単結晶膜であることが分かった。また、2波回折条件でのTEM観察より膜内の転位密度の評価を行った。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-07-25
著者
-
安井 寛治
長岡技術科学大学
-
山口 直也
長岡技術科学大学
-
竹内 智彦
長岡技術科学大学
-
中村 友紀
長岡技術科学大学
-
大橋 優樹
長岡技術科学大学
-
永富 瑛智
長岡技術科学大学
-
玉山 泰宏
長岡技術科学大学
関連論文
- Si上に形成したGe・SiCドットに対する半球状モデルを用いた構造評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- 4価元素をドープした石英薄膜における可視光スペクトル
- 有機シランを用いたプラズマCVD法によるダイヤモンドライクカーボン薄膜の膜特性評価
- 間欠ガス供給を用いたホットメッシュCVD法によるSi上GaNエピタキシャル成長
- パルスモードホットメッシュCVD法による窒化物半導体のエピタキシャル成長(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-8 触媒反応CVD(Cat-CVD)法によるGaN結晶膜の省資源成長技術(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- ホットメッシュCVD法によるGaN成長 : ルテニウムコーティッドタングステンメッシュの効果(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-9 RuコートWを用いたHot-mesh CVD法によるGaN膜成長(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- Si基板上SiC極薄膜の低温形成とユビキタスデバイスへの応用
- ワイドギャップ半導体でキャッピングされたGeナノドットの光学特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- タングステンメッシュにより生成した高密度水素ラジカル アニールによるZnO:Al膜の低抵抗化(薄膜プロセス・材料,一般)
- 触媒反応により生成した水分子ビームを用いたZnO結晶薄膜のエピタキシャル成長
- パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-2 H_2-O_2触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したZnOエピタキシャル薄膜の結晶構造(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-1 H_2-O_2触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いたZnOエピタキシャル薄膜の成長技術(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- 第三電極を有するマグネトロンスパッタ法によるAlドープZnO膜の低抵抗化(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-8 昇温脱離法を用いた3C-SiC成長初期に見られるSi c(4×4)構造の評価(C-6.電子部品・材料)
- 有機ケイ素化合物を用いたSiC成長初期過程の再評価とCVD法への応用(薄膜プロセス・材料,一般)
- 有機ケイ素化合物を用いたSiC成長初期過程の再評価とCVD法への応用
- C-6-4 MMSi を用いた 3C-SiC 成長初期における表面反応過程
- C-6-3 MMSi による Si(001) 上への 3C-SiC 成長初期段階の STM 観察
- C-6-7 第三電極を有するマグネトロンスパッタ法による均質なZnO薄膜の形成(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-7 Hot-mesh CVD法を用いたSiC/Si(111)上へのGaN成長(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- Hot-Mesh CVD法によるSi熱酸化膜上の(100)配向SiC結晶(電子部品・材料,及び一般)
- 水素ラジカルアシストプラズマCVD法によるSiN膜の応力特性
- C-6-7 Wメッシュにより生成した水素ラジカルによるZnO:Al薄膜のアニール効果(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-7 第三電極を有するマグネトロンスパッタリング法によるAZO透明導電膜の水素アニール効果(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-4 第三電極を有するマグネトロンスパッタ法により作製したZnO薄膜の水素プラズマアニールの効果(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- 第三電極を有するRFマグネトロンスパッタ法によるZnO透明導電膜特性の均一性評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- モノメチルゲルマンによるSi(001)-2x1清浄表面上へのGe,SiCナノドットの形成と制御(薄膜プロセス・材料,一般)
- 触媒反応により生成した高エネルギーH_2Oを用いてサファイア基板上に成長したZnO結晶薄膜の光学特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 触媒反応により生成した高エネルギーH_2Oを用いてサファイア基板上に成長したZnO結晶薄膜の光学特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 触媒反応により生成した高エネルギーH_2Oを用いてサファイア基板上に成長したZnO結晶薄膜の光学特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- C-6-6 SiCでキャップされたGe・SiC量子ドットの光学特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- ホットメッシュCVD法によるSiCOI構造基板の作製とトップSi層厚依存性(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-10 Hot-mesh CVD法による極薄top-Si層を有するSOI基板上へのSiC成長(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-7 パルス供給Hot-mesh CVD法によるGaN成長(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-7 Hot-mesh CVD法によるSiC/Si上へのAINバッファー層を用いたGaN成長(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- Hot-mesh CVD法によるAlNバッファー層を用いたSiC/Si(111)上へのGaN成長
- ジメチルシランを用いたシリコン基板上への3C-SiCエピタキシャル成長
- C-6-11 MMGeを用いて形成したGe・SiCナノドットの構造評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-5 Hot-Mesh CVD法を用いたSiCOI構造形成とMEMS応用(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-10-10 Hot-Mesh CVD法によるSiC低温結晶成長における水素ラジカルの効果(C-10.電子デバイス,一般講演)
- Hot-Mesh CVD法を用いたSOI基板上への3C-SiC低温エピタキシャル成長
- CS-6-5 ホットメッシュCVD法によるSiC結晶膜の低温成長(CS-6.薄膜の高機能発現をともなう低温成膜技術の最前線,シンポジウム)
- C-6-1 第三電極を有するマグネトロンスパッタ法によるAl, F共ドープZnO薄膜の特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-6 メッシュ状第三電極を有するマグネトロンスパッタ法によるZnO薄膜の堆積(C-6.電子部品・材料)
- ヘリカルアンテナ励起窒素及びアンモニアプラズマの特性と半導体表面窒化特性
- C-6-12 ヘリカルアンテナを用いた窒素及びアンモニアプラズマの特性と半導体表面窒化特性
- 有機ケイ素化合物を用いたSiCヘテロエピタキシャル成長
- C-6-4 Hot-Mesh CVD法を用いたSiC成長におけるメッシュ温度依存性(C-6. 電子部品・材料, エレクトロニクス2)
- トライオードプラズマCVD法によるSiC(110)配向膜の低温成長(薄膜プロセス・材料,一般)
- Hot-Mesh CVD法によるSi基板上への低温SiCエピタキシャル成長(電子部品・材料,及び一般)
- C-6-3 HM-CVD 法を用いた炭化ケイ素膜の作製
- C-6-2 DMS を用いた減圧 CVD 法による SiC on Si エピタキシャル成長
- C-6-3 パルス制御核発生法によるSi(001)-2°off基板上での高密度SiC,Geナノドット形成(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- Si(001)表面とモノメチルゲルマンの反応過程における表面構造変化 : Ge埋め込み3C-SiC構造形成へ向けて(薄膜プロセス・材料, 一般)
- プラズマCVD法によるSi_3N_4-SiC系セラミックス薄膜の合成
- 有機けい素化合物を用いたトライオードプラズマCVD法による結晶SiC膜の成長 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- DMCSを用いたトライオードプラズマCVD法による空間的アフターグロープラズマの最適化と結晶SiC膜の低温成長
- ヘリカルアンテナを用いたアンモニアプラズマの生成と半導体表面窒化の試み
- 有機ケイ素化合物を用いた減圧CVD法によるAlN上SiCのエピタキシャル成長
- トライオードプラズマCVD法による3C-SiCエピ成長膜特性の高周波電力依存性
- ハイブリッドプラズマ CVD 法による SiN-BN 薄膜の高品質化
- ECRプラズマ励起HRCVD法による微結晶SiC膜の構造
- C-6-3 トライオードプラズマCVD法によるSiC(110)配向膜の低温成長(C-6. 電子部品・材料, エレクトロニクス2)
- ECR MOCVD 法による立方晶 GaN 薄膜の成長と評価
- RFスパッタa-Si膜の光学的評価
- C-6-8 SiC/Ge・SiCナノドット/Si c(4x4)構造からの発光特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-7 H_2-O_2触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて堆積したZnOエピタキシャル薄膜の光学特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-6 H_2-O_2触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したZnOエピタキシャル薄膜の電気特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- Hot-wire CVD法を用いた立方晶窒化ガリウムのエピタキシャル成長
- C-6-1 Hot-Wireを用いたGaAs表面窒化とc-GaNのエピタキシャル成長
- C-6-2 ホットフィラメントCVD法によるGaAs窒化層上へのc-GaNエピタキシャル成長
- C-6-20 ヘリカルアンテナにより励起したNH_3プラズマによるGaAs表面窒化特性
- SiC埋め込み型Geナノドット構造を目指した高密度ナノドット形成(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-6 MMGeを用いたSi(001)-2°off基板上での高密度SiC,Geナノドット形成(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- モノメチルシランを用いたSiC成長初期段階に形成される表面構造のSTM観察
- シリコンナイトライド膜へのカーボン添加
- グリッドバイアス制御ECRプラズマの特性評価と立方晶GaNのエピタキシャル成長
- C-6-2 Si(001)上でのモノメチルゲルマンの反応過程(C-6. 電子部品・材料, エレクトロニクス2)
- MMSによるSi(001)-c(4×4)構造形成時における表面反応の解析(薄膜プロセス・材料,一般)
- STMを用いたMMSiにより形成されるSi(001)-c(4×4)構造の評価(電子部品・材料, 及び一般)
- MMSi,DMSiにより形成されるSi c(4×4)構造の評価
- C-6-2 3C-SiC成長初期段階におけるSi(001)上でのMMSiの表面反応過程の観察
- ホットメッシュCVD法によるGaAs(100)上への立方晶GaNの低温成長(薄膜プロセス・材料,一般)
- ホットメッシュCVD法によるGaAs(100)上への立方晶GaNの低温成長
- C-6-1 タングステンメッシュを用いた Hot-wire CVD 法による立方晶 GaN 膜の成長
- C-6-1 トライオードプラズマCVD法による3C-SiC成長におけるRF電力依存性
- C-6-2 有機ケイ素化合物を用いた Si(001) 上における 3C-SiC の二段階成長
- モノメチルシランを用いた3C-Sic成長初期過程
- ジメチルシランを用いた3C-SiC成長初期過程のRHEED観察
- C-6-13 有機ケイ素化合物と水素を用いたβ-SiC成長初期過程
- DMSを用いたトライオードプラズマCVD法による3C-SiCの低温エピ成長
- C-6-13 トライオードプラズマCVD法による有機ケイ素化合物を用いた3C-SiC低温成長
- C-6-19 フラックス法によるAl_xGa_N、ln_yGa_N単結晶の成長
- C-6-14 トライオードプラズマCVD法によるモノメチルシランを用いたβ-SiCエピタキシャル成長
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したZnO結晶薄膜の電気特性(材料デバイスサマーミーティング)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したZnO結晶薄膜の電気特性(材料デバイスサマーミーティング)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したZnO結晶薄膜の電気特性(材料デバイスサマーミーティング)