基板バイポーラ効果によるSEUとMCUの発生機構の検討(製造性考慮設計,システムオンシリコンを支える設計技術)
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概要
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集積化が進むにつれ素子固有のエラー耐性は低下し,1bitが反転するSEU(Single Event Upset),複数のビットが同時に反転するMCU(Multi-Cell upset)が問題となっている。MCUは,中性子,α線などにより発生した電荷が複数のノードに分配されて起こるとされているが,近年,Wellもしくは基板をべースとした寄生バイポーラトランジスタ効果もMCUの発生要因として挙げられている。本稿では,実測結果から得られた値を元にモデル化した基板バイポーラトランジスタと基板抵抗をSPICEシミュレーションに組み込み,SEUとMCUがどのような機構で発生するかについての検討を行なう。インバータをクロスカップルさせた構造のSRAM型ラッチ,D-FFで用いられている3ステートインバータによるラッチの2種類について検討を行なったところ,SEUは基板タップからの距離の影響をほとんど受けず,MCUは基板タップからの位置が遠いラッチ程起きやすいことが分かった。
- 2010-03-03
著者
-
小野寺 秀俊
京都大学工学部電子工学科
-
小林 和淑
京都大学情報学研究科
-
小野寺 秀俊
京都大学情報学研究科
-
牧野 紘明
京都大学情報学研究科
-
小林 和淑
京都工芸繊維大学工芸科学研究科
-
小野寺 秀俊
京都大学情報学研究科:jst Crest
-
小野寺 秀俊
京都大学
-
濱中 力
京都工芸繊維大学
-
古田 潤
京都大学
-
古田 潤
京都大学大学院情報学研究科
-
小林 和淑
京都工芸繊維大学
-
牧野 紘明
京都大学
-
小林 和淑
京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科電子システム工学専攻:jst Crest
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