NBTI回復現象を利用したマルチコアLSIの自己特性補償法(異種デバイス集積化/高密度実装技術,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-)
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概要
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近年のLSIの微細化により、信頼性の高いシステムを構築することはますます困難となってきている。主要な要因の1つとして、NBTI(Negative Bias Temperature Instability)として知られるトランジスタの経年劣化が挙げられる。本研究ではNBTIの回復現象を利用したマルチコアLSIの長寿命化手法について検討した。65nm CMOSによってNBTIの回復を評価した結果に基づく自己特性補償法について述べる。
- 2011-11-21
著者
-
小林 和淑
京都大学情報学研究科
-
小野寺 秀俊
京都大学情報学研究科
-
牧野 紘明
京都大学情報学研究科
-
松本 高士
京都大学情報学研究科
-
小林 和淑
京都工芸繊維大学工芸科学研究科
-
小林 和淑
京都工芸繊維大学
-
小林 和淑
京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科電子システム工学専攻:jst Crest
-
牧野 絋明
京都大学情報学研究科
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