ランダム・テレグラフ・ノイズが低電圧CMOS論理回路の遅延ゆらぎに及ぼす影響(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))
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概要
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ランダム・テレグラフ・ノイズ(RTN)による組合せ回路遅延ゆらぎの統計的な性質を40nmCMOSテクノロジにおいて試作した2, 520個のリング発振回路(RO)を測定することによって明らかにした。わずかなROにおいて巨大な遅延ゆらぎが発生し、低電圧(065V)において最大で104%のゆらぎが発生した。動作電圧075Vにおいては、わずかにトランジスタサイズを大きくすることにより50%以上ゆらぎが低減した。動作電圧、トランジスタサイズ、論理段数、ゲートの種類、基板バイアスなど回路設計者が調整可能な設計値が低電圧CMOS論理回路のRTNによる遅延ゆらぎに及ぼす影響について報告する。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-01-23
著者
-
小林 和淑
京都大学情報学研究科
-
小野寺 秀俊
京都大学情報学研究科
-
松本 高士
京都大学情報学研究科
-
小林 和淑
京都工芸繊維大学
-
小林 和淑
京都工芸繊維大学工芸科学研究科:JST CREST
-
小野寺 秀俊
京都工芸繊維大学工芸科学研究科
-
小野寺 秀俊
京都工芸繊維大学工芸科学研究科:JST CREST
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