反応性スパッタ法によるAlN薄膜の作製とLD用サブマウントへの応用(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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熱伝導率に優れたLD用サブマウント基板の材料として、AlN/Cu構造を応用することを提案し、RF反応性スパッタ法による作製を試みた。その結果、抵抗率10^<10>Ω・cm以上の値を有するAlN薄膜を窒素流量比25%以上で形成できることが分かった。また、RF電力500W(2.5W/cm^2)で作製した試料が最も絶縁特性に優れることを見出した。しかしながら、膜中には多くの導通領域が存在し、絶縁特性を劣化させていることが分かった。この導通領域は、フォトリソグラフィで用いるアルカリ性の現像液(TMAH)による膜の溶解に起因することが分かり、絶縁特性の向上にはAlN薄膜が溶解しない現像液を用いることが重要であることが明らかとなった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-11-02
著者
-
林部 林平
信州大学工学部
-
阿部 克也
信州大学工学部
-
上村 喜一
信州大学工学部
-
山上 朋彦
信州大学工学部
-
小畑 元樹
シチズンファインテック株式会社
-
塩野 晃宏
信州大学工学部電気電子工学科
-
中久木 政秀
信州大学工学部電気電子工学科
-
小林 勲生
信州大学工学部電気電子工学科
-
上村 喜一
信州大学工学部電気電子工学科
-
山上 朋彦
信州大学工学部電気電子工学科
-
林部 林平
信州大学工学部電気電子工学科
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