TEOSを原料とするCVD法によるSiO_2/SiC MOS構造の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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TEOSを使用した熱CVD法により、SiC表面に酸化膜を堆積させた。酸化膜堆積後、N_2雰囲気中でアニールを行い、さらにH_2中でアニールを行なった。SiC表面と堆積させた酸化膜の界面特性および酸化膜の欠陥を評価するために、MOSキャパシタを作製した。MOSキャパシタの界面準位密度はTEOS酸化膜にN_2アニールのみを行なった試料が最も低く、伝導帯端から0.2eVでD_<it>=1.5×10^<11>cm^<-2>eV^<-1>となった。また、H_2アニールをすることで、酸化膜中の固定電荷を低減させることができた。TEOS酸化膜にアニール処理を行なうことでSiO_2/SiC界面の界面特性の向上や酸化膜の欠陥の減少が見込まれる。
- 2011-10-19
著者
-
林部 林平
信州大学工学部
-
上村 喜一
信州大学工学部
-
山上 朋彦
信州大学工学部
-
逸見 充則
信州大学工学部
-
上村 喜一
信州大学工学部電気電子工学科
-
山上 朋彦
信州大学工学部電気電子工学科
-
林部 林平
信州大学工学部電気電子工学科
-
井口 裕哉
信州大学工学部
-
酒井 崇史
信州大学工学部
-
杉田 晴彦
信州大学工学部
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