直接窒化法で形成したSiC表面窒化層の厚さと界面特性の評価(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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純N_2またはNH_3雰囲気での直接窒化法を用いて,SiC表面上に窒化層を形成させた.形成させた窒化層表面をXPSにより分析し,窒化層の厚さを概算した.窒化層の厚さは,最大2nm程度と見積もった.SiC表面と窒化層の界面特性を評価するために,窒化層上にSiO_2膜を堆積させたMISキャパシタを作製した.MISキャパシタの界面準位密度は,伝導帯端から0.3 eVの位置で10^<11>〜10^<12>eV^<-1>cm^<-2>程度であった.SiO_2/窒化層/SiC MISキャパシタの界面準位密度は,SiO_2/SiC MISキャパシタの界面準位密度よりも低い値となった.SiC表面の直接窒化は,SiC MIS構造において界面準位密度を減少させるための有効な方法の一つであると考えられる.
- 2010-10-21
著者
-
鈴木 真一郎
信州大学工学部
-
林部 林平
信州大学工学部
-
上村 喜一
信州大学工学部
-
山上 朋彦
信州大学工学部
-
村田 裕亮
信州大学工学部
-
逸見 充則
信州大学工学部
-
上村 喜一
信州大学工学部電気電子工学科
-
山上 朋彦
信州大学工学部電気電子工学科
-
林部 林平
信州大学工学部電気電子工学科
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