プラズマ窒化法による6H-SiC窒化絶縁膜の作製と評価(薄膜プロセス・材料, 一般)
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概要
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SiCのMOSデバイス応用において大きな問題となっている熱酸化膜中の炭素起因欠陥を抑制し, 良質なMIS構造を形成することを目的として, 酸素を用いない直接窒化法による絶縁膜の作製を試みた.その結果, プラズマの導入による窒化反応の促進に成功し, 基板温度1000℃において数nmの窒化膜を得ることができた.また, 基板温度1200℃以上では, 窒化が抑制されることが明らかとなった.また, NH_3プラズマ窒化法を用いることにより, N_2プラズマと比較して窒化膜を厚膜化できることを見出した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-11-04
著者
-
林部 林平
信州大学工学部
-
阿部 克也
信州大学工学部
-
上村 喜一
信州大学工学部
-
山上 朋彦
信州大学工学部
-
山口 哲生
信州大学工学部
-
石田 芳樹
信州大学工学部電気電子工学科
-
劉 穎慎
信州大学工学部電気電子工学科
-
石田 芳樹
信州大学工学部
-
山上 朋彦
信州大学工学部電気電子工学科
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