阿部 克也 | 信州大学工学部
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概要
関連著者
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阿部 克也
信州大学工学部
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山上 朋彦
信州大学工学部
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山上 朋彦
信州大学工学部電気電子工学科
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林部 林平
信州大学工学部
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上村 喜一
信州大学工学部
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陳 晨
信州大学工学部
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石田 芳樹
信州大学工学部電気電子工学科
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石田 芳樹
信州大学工学部
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坂口 優也
信州大学工学部
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山口 哲生
信州大学工学部
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萩原 正宜
信州大学工学部電気電子工学科
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周 澤宇
信州大学工学部
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上村 喜一
信州大学工学部電気電子工学科
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林部 林平
信州大学工学部電気電子工学科
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牛草 遼平
信州大学工学部
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横本 拓也
信州大学工学部
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須澤 孝昭
信州大学工学部
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小畑 元樹
シチズンファインテック株式会社
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前田 洋輔
信州大学工学部
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宮澤 匠
信州大学工学部
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長谷川 洋祐
信州大学工学部
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稲垣 優人
信州大学工学部
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前沢 洋介
信州大学工学部
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原田 佳和
信州大学工学部電気電子工学科
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中尾 真人
信州大学工学部
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中尾 眞人
信州大学工学部
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作田 輝行
信州大学工学部電気電子工学科
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小畑 元樹
信州大学工学部電気電子工学科
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上島 義輝
信州大学工学部電気電子工学科
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中尾 眞人
信州大学工学部電気電子工学科
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前沢 洋介
信州大学工学部電気電子工学科
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稲垣 優人
信州大学工学部電気電子工学科
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長谷川 洋祐
信州大学工学部電気電子工学科
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遠藤 守信
信州大学工学部
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新井 進
信州大学工学部
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曽根原 誠
信州大学工学部電気電子工学科
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宮入 圭一
信州大学工学部
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伊東 栄次
信州大学工学部
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橋本 佳男
信州大学工学部
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伊東 栄次
信州大学 工学部 電気電子工学科
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宮入 圭一
信州大学 工学部 電気電子工学科
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宮入 圭一
信州大
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宮入 圭一
信州大学工学部電気電子工学科
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宮入 圭一
信州大工
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橋本 佳男
信州大学工学部電気電子工学科
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曽根原 誠
信州大学工学部
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中村 嘉孝
信州大学工学部
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有馬 潤
信州大学工学部
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森山 和久
信州大学工学部
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塩野 晃宏
信州大学工学部電気電子工学科
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中久木 政秀
信州大学工学部電気電子工学科
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小林 勲生
信州大学工学部電気電子工学科
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仙石 昌
信州大学工学部
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阿部 克也
信州大学 工学部
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遠山 陽平
信州大学 工学部
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藤川 英人
信州大学 工学部
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山上 朋彦
信州大学 工学部
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林部 林平
信州大学 工学部
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上村 喜一
信州大学 工学部
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劉 穎慎
信州大学工学部電気電子工学科
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林邦 林平
信州大学工学部電気電子工学科
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伊東 栄次
信州大
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榊 和彦
信州大学工学部
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荒井 崇
信州大学工学部
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小坂 孝之
信州大学工学部
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岡島 和希
信州大学工学部
著作論文
- カーボンナノチューブ複合電極の電界電子放出特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- 平成21年度リフレッシュ理科出張教室(北陸・信越支部/東海支部浦里会場)開催報告
- グラファイト触媒を用いたHW-CVD法によるSiC薄膜の低温形成(薄膜プロセス・材料,一般)
- 反応性スパッタ法によるAlN薄膜の作製とLD用サブマウントへの応用(薄膜プロセス・材料,一般)
- TaN_x薄膜抵抗体における基板表面粗さの影響(薄膜プロセス・材料,一般)
- TaN_x薄膜抵抗体における基板表面粗さの影響
- C-6-3 直接窒化法で作製したSiCMISショットキー接触の評価(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-5 プラズマ窒化法で作製したSiCMISダイオードの容量電圧特性における基板バイアスの効果(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- SiC表面の直接窒化とXPSによる窒化層の評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- SiC表面の直接窒化とXPSによる窒化層の評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- SiC表面の直接窒化とXPSによる窒化層の評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- SiC表面の直接窒化とXPSによる窒化層の評価
- CS-6-6 HW-CVD法によるSiC薄膜の作製と評価(CS-6.薄膜の高機能発現をともなう低温成膜技術の最前線,シンポジウム)
- プラズマ窒化法による6H-SiC窒化絶縁膜の作製と評価(薄膜プロセス・材料, 一般)
- CS-5-1 スパッタ法による電界電子放出電極用炭素薄膜の作製(CS-5.ナノスケール時代を迎えた薄膜電子材料の展開,エレクトロニクス2)
- ホットフィラメントアシストスパッタ法によるカーボン薄膜の作製と電界電子放出特性の評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- ホットフィラメントアシストスパッタ法によるカーボン薄膜の作製と電界電子放出特性の評価
- 反応性スパッタ法によるCuAlO_2薄膜の作製とアニール効果
- SiCコーティングしたグラファイト触媒を用いたSiC薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
- 複合ターゲットを用いた反応性スパッタリング法によるCuAlO_2薄膜の作製と構造評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- 複合ターゲットを用いた反応性スパッタリング法によるCuAlO_2薄膜の作製と構造評価
- 金属誘起結晶成長法によるSiC薄膜の低温結晶化の試み(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 金属誘起結晶成長法によるSiC薄膜の低温結晶化の試み(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 金属誘起結晶成長法によるSiC薄膜の低温結晶化の試み(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- HWCVD法により低温形成したSiC薄膜の成長圧力依存性
- コールドスプレー法により作製したCu/Alターゲットを用いた反応性スパッタリング法によるCuAlO_2薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般)