山口 哲生 | 信州大学工学部
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概要
関連著者
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林部 林平
信州大学工学部
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上村 喜一
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山口 哲生
信州大学工学部
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信州大学工学部電気電子工学科
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石田 芳樹
信州大学工学部
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信州大学工学部
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山上 朋彦
信州大学工学部電気電子工学科
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劉 穎慎
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上村 喜一
信州大学工学部電気電子工学科
著作論文
- SiC表面の直接窒化とXPSによる窒化層の評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- SiC表面の直接窒化とXPSによる窒化層の評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- SiC表面の直接窒化とXPSによる窒化層の評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- SiC表面の直接窒化とXPSによる窒化層の評価
- プラズマ窒化法による6H-SiC窒化絶縁膜の作製と評価(薄膜プロセス・材料, 一般)