山上 朋彦 | 信州大学工学部
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概要
関連著者
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山上 朋彦
信州大学工学部
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山上 朋彦
信州大学工学部電気電子工学科
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林部 林平
信州大学工学部
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上村 喜一
信州大学工学部
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阿部 克也
信州大学工学部
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上村 喜一
信州大学工学部電気電子工学科
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林部 林平
信州大学工学部電気電子工学科
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斉藤 裕史
信州大学工学部
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陳 晨
信州大学工学部
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石田 芳樹
信州大学工学部電気電子工学科
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石田 芳樹
信州大学工学部
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斉藤 裕史
信州大学工学部電気電子工学科
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鈴木 真一郎
信州大学工学部
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村田 裕亮
信州大学工学部
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逸見 充則
信州大学工学部
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萩原 正宜
信州大学工学部電気電子工学科
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周 澤宇
信州大学工学部
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山口 哲生
信州大学工学部
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山下 将弘
信州大学工学部
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坂口 優也
信州大学工学部
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仙石 昌
信州大学工学部
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牛草 遼平
信州大学工学部
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酒井 崇史
信州大学工学部
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横本 拓也
信州大学工学部
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須澤 孝昭
信州大学工学部
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中尾 真人
信州大学工学部
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大池 匠
信州大学工学部
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中尾 眞人
信州大学工学部
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小林 尚平
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辻 拓真
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斎藤 裕史
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宮崎 慶
信州大学工学部
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田口 義之
信州大学工学部
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宮永 琢也
信州大学工学部
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上島 義輝
信州大学工学部電気電子工学科
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中尾 眞人
信州大学工学部電気電子工学科
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井口 裕哉
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前田 洋輔
信州大学工学部
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宮澤 匠
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浅田 裕司
信州大学工学部電気電子工学科
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浅田 裕司
信州大学工学部
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長谷川 洋祐
信州大学工学部
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稲垣 優人
信州大学工学部
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前沢 洋介
信州大学工学部
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錦織 広昌
信州大学工学部
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小畑 元樹
シチズンファインテック株式会社
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塩野 晃宏
信州大学工学部電気電子工学科
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中久木 政秀
信州大学工学部電気電子工学科
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小林 勲生
信州大学工学部電気電子工学科
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阿部 克也
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遠山 陽平
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藤川 英人
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山上 朋彦
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林部 林平
信州大学 工学部
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上村 喜一
信州大学 工学部
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劉 穎慎
信州大学工学部電気電子工学科
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林邦 林平
信州大学工学部電気電子工学科
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塩沢 宏章
信州大学工学部電気電子工学科
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前沢 洋介
信州大学工学部電気電子工学科
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稲垣 優人
信州大学工学部電気電子工学科
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長谷川 洋祐
信州大学工学部電気電子工学科
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杉田 晴彦
信州大学工学部
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杉田 暁彦
信州大学工学部
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榊 和彦
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萩野 達也
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松本 純樹
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村川 はるか
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菊地 理佳
信州大学工学部
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荒井 崇
信州大学工学部
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小坂 孝之
信州大学工学部
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岡島 和希
信州大学工学部
著作論文
- C-6-6 水平配向したカーボンナノチューブからの電界電子放出(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- 水平配向したカーボンナノチューブからの電界電子放出
- 直接窒化法で形成したSiC表面窒化層の厚さと界面特性の評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- MIS型ショットキー接触の電流電圧特性を利用した窒化膜/SiC界面特性の評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- 反応性スパッタ法によるAlN薄膜の作製とLD用サブマウントへの応用(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-14 TEOSを用いた熱CVDによるSiC-MOS構造の界面評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- 直接窒化膜を界面制御層に用いたSiCMIS構造の作製
- C-6-15 SiO_2薄膜に分散したカーボンナノチューブからの電界電子放出(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- 絶縁体中に分散させたカーボンナノチューブにより作製した電子放出源(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-7 スパッタ堆積させた炭素薄膜のFE特性に対するプラズマ処理の効果(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- スパッタ法により作製した炭素薄膜の電界電子放出特性
- C-6-3 直接窒化法で作製したSiCMISショットキー接触の評価(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-5 プラズマ窒化法で作製したSiCMISダイオードの容量電圧特性における基板バイアスの効果(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- SiC表面の直接窒化とXPSによる窒化層の評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- SiC表面の直接窒化とXPSによる窒化層の評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- SiC表面の直接窒化とXPSによる窒化層の評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- SiC表面の直接窒化とXPSによる窒化層の評価
- CS-6-6 HW-CVD法によるSiC薄膜の作製と評価(CS-6.薄膜の高機能発現をともなう低温成膜技術の最前線,シンポジウム)
- プラズマ窒化法による6H-SiC窒化絶縁膜の作製と評価(薄膜プロセス・材料, 一般)
- CS-5-1 スパッタ法による電界電子放出電極用炭素薄膜の作製(CS-5.ナノスケール時代を迎えた薄膜電子材料の展開,エレクトロニクス2)
- ホットフィラメントアシストスパッタ法によるカーボン薄膜の作製と電界電子放出特性の評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- ホットフィラメントアシストスパッタ法によるカーボン薄膜の作製と電界電子放出特性の評価
- C-6-9 直接窒化法を用いたSiCMIS構造の界面特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- バイアス印加RFプラズマ窒化法によるSiC-MIS構造の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
- 絶縁体中に分散させたカーボンナノチューブを用いた冷陰極の試作と評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-3 ゾル・ゲル法によるCNT冷陰極の試作(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- SiC表面の直接窒化と窒化層/SiC界面特性の評価
- SiCコーティングしたグラファイト触媒を用いたSiC薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
- 複合ターゲットを用いた反応性スパッタリング法によるCuAlO_2薄膜の作製と構造評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- TEOSを原料とするCVD法によるSiO_2/SiC MOS構造の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
- HWCVD法により低温形成したSiC薄膜の成長圧力依存性 (電子部品・材料)
- C-6-3 CNT冷陰極における直列抵抗の影響(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- 複合ターゲットを用いた反応性スパッタリング法によるCuAlO_2薄膜の作製と構造評価
- TEOSを原料とするCVD法によるSiO_2/SiC MOS構造の作製
- 粘土鉱物-酸化チタン複合体担持フィルターによるトリクロロエチレンの除去
- 金属誘起結晶成長法によるSiC薄膜の低温結晶化の試み(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 金属誘起結晶成長法によるSiC薄膜の低温結晶化の試み(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 金属誘起結晶成長法によるSiC薄膜の低温結晶化の試み(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- HWCVD法により低温形成したSiC薄膜の成長圧力依存性
- 電界遮蔽効果と直列抵抗を同時に考慮した電界電子放出特性の検討(薄膜プロセス・材料,一般)
- コールドスプレー法により作製したCu/Alターゲットを用いた反応性スパッタリング法によるCuAlO_2薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般)