絶縁体中に分散させたカーボンナノチューブにより作製した電子放出源(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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絶縁体中にカーボンナノチューブを分散させることにより、高効率な電子放出源を作製することを提案した。導体表面に垂直配向させたナノチューブを真空中に置くよりは、絶縁膜中に分散させる方がより機械的に安定であり、放熱効果も良好であると期待できる。絶縁膜の比誘電率が真空よりも大きいために、ナノチューブ近傍の電界強度が低くなり、等価的にアスペクト比を小さくすることが問題となると予測できる。実際にゾル・ゲル法でナノチューブを分散させた電界放出電極を作製し、電界放出を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-10-23
著者
-
林部 林平
信州大学工学部
-
上村 喜一
信州大学工学部
-
斉藤 裕史
信州大学工学部
-
山上 朋彦
信州大学工学部
-
上村 喜一
信州大学工学部電気電子工学科
-
山上 朋彦
信州大学工学部電気電子工学科
-
斉藤 裕史
信州大学工学部電気電子工学科
-
林部 林平
信州大学工学部電気電子工学科
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