上村 喜一 | 信州大学工学部電気電子工学科
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概要
関連著者
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林部 林平
信州大学工学部
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上村 喜一
信州大学工学部
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山上 朋彦
信州大学工学部
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上村 喜一
信州大学工学部電気電子工学科
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山上 朋彦
信州大学工学部電気電子工学科
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林部 林平
信州大学工学部電気電子工学科
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斉藤 裕史
信州大学工学部
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斉藤 裕史
信州大学工学部電気電子工学科
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鈴木 真一郎
信州大学工学部
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村田 裕亮
信州大学工学部
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逸見 充則
信州大学工学部
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阿部 克也
信州大学工学部
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仙石 昌
信州大学工学部
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陳 晨
信州大学工学部
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山下 将弘
信州大学工学部
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萩原 正宜
信州大学工学部電気電子工学科
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石田 芳樹
信州大学工学部電気電子工学科
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石田 芳樹
信州大学工学部
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大池 匠
信州大学工学部
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小林 尚平
信州大学工学部
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辻 拓真
信州大学工学部
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斎藤 裕史
信州大学工学部
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宮崎 慶
信州大学工学部
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田口 義之
信州大学工学部
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宮永 琢也
信州大学工学部
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酒井 崇史
信州大学工学部
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山口 哲生
信州大学工学部
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小畑 元樹
シチズンファインテック株式会社
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塩野 晃宏
信州大学工学部電気電子工学科
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中久木 政秀
信州大学工学部電気電子工学科
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小林 勲生
信州大学工学部電気電子工学科
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塩沢 宏章
信州大学工学部電気電子工学科
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井口 裕哉
信州大学工学部
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杉田 晴彦
信州大学工学部
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浅田 裕司
信州大学工学部電気電子工学科
-
浅田 裕司
信州大学工学部
著作論文
- C-6-6 水平配向したカーボンナノチューブからの電界電子放出(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- 水平配向したカーボンナノチューブからの電界電子放出
- 直接窒化法で形成したSiC表面窒化層の厚さと界面特性の評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- MIS型ショットキー接触の電流電圧特性を利用した窒化膜/SiC界面特性の評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- 反応性スパッタ法によるAlN薄膜の作製とLD用サブマウントへの応用(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-14 TEOSを用いた熱CVDによるSiC-MOS構造の界面評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- 直接窒化膜を界面制御層に用いたSiCMIS構造の作製
- C-6-15 SiO_2薄膜に分散したカーボンナノチューブからの電界電子放出(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- 絶縁体中に分散させたカーボンナノチューブにより作製した電子放出源(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-7 スパッタ堆積させた炭素薄膜のFE特性に対するプラズマ処理の効果(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- スパッタ法により作製した炭素薄膜の電界電子放出特性
- C-6-3 直接窒化法で作製したSiCMISショットキー接触の評価(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-5 プラズマ窒化法で作製したSiCMISダイオードの容量電圧特性における基板バイアスの効果(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- SiC表面の直接窒化とXPSによる窒化層の評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- C-6-9 直接窒化法を用いたSiCMIS構造の界面特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- バイアス印加RFプラズマ窒化法によるSiC-MIS構造の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-3 ゾル・ゲル法によるCNT冷陰極の試作(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- SiC表面の直接窒化と窒化層/SiC界面特性の評価
- TEOSを原料とするCVD法によるSiO_2/SiC MOS構造の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-3 CNT冷陰極における直列抵抗の影響(C-6.電子部品・材料,一般セッション)