直接窒化膜を界面制御層に用いたSiCMIS構造の作製
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概要
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MIS型ショットキーダイオードの電流電圧特性から、窒化膜/SiC構造の界面準位密度を概算した。界面準位密度はおよそ10^<12>cm<-2>eV^<-1>であった。この値は、酸化と熱処理により作製したSiO_2/SiC MIS構造で報告されている値に近い。窒化膜上に酸化膜を重ねて堆積したMIS構造についてTerman法で界面準位密度を評価し、比較した結果、ほぼ同程度の値となった。高温で窒化した試料ほど低い界面準位密度が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-08-03
著者
-
鈴木 真一郎
信州大学工学部
-
林部 林平
信州大学工学部
-
上村 喜一
信州大学工学部
-
山上 朋彦
信州大学工学部
-
村田 裕亮
信州大学工学部
-
逸見 充則
信州大学工学部
-
仙石 昌
信州大学工学部
-
辻 拓真
信州大学工学部
-
上村 喜一
信州大学工学部電気電子工学科
-
山上 朋彦
信州大学工学部電気電子工学科
-
林部 林平
信州大学工学部電気電子工学科
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