電界遮蔽効果と直列抵抗を同時に考慮した電界電子放出特性の検討(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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ナノカーボン材料を用いた冷陰極の開発を目的に,絶縁膜中にカーボンナノチューブ(CNT)を分散させた構造を提案し,CNT濃度と先端近傍の電界分布の関係を浮遊球モデルを用いて近似計算を行った.CNT自体の抵抗の影響も考慮して計算した結果,カーボンナノチューブ(CNT)を基盤に対し垂直に配向したエミッタは直列抵抗の影響が大きく,印加電界の増加に伴い放出電流密度が飽和してしまうことが分かった.また,カーボンナノウォール(CNW)を基板に対して垂直に配向したエミッタでは,直列抵抗の影響が少ないことが分かった.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-10-19
著者
-
林部 林平
信州大学工学部
-
上村 喜一
信州大学工学部
-
山上 朋彦
信州大学工学部
-
山下 将弘
信州大学工学部
-
山上 朋彦
信州大学工学部電気電子工学科
-
林部 林平
信州大学工学部電気電子工学科
-
浅田 裕司
信州大学工学部電気電子工学科
-
浅田 裕司
信州大学工学部
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