林部 林平 | 信州大学工学部電気電子工学科
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概要
関連著者
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林部 林平
信州大学工学部
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林部 林平
信州大学工学部電気電子工学科
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上村 喜一
信州大学工学部
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山上 朋彦
信州大学工学部
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上村 喜一
信州大学工学部電気電子工学科
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斉藤 裕史
信州大学工学部
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斉藤 裕史
信州大学工学部電気電子工学科
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鈴木 真一郎
信州大学工学部
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村田 裕亮
信州大学工学部
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逸見 充則
信州大学工学部
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阿部 克也
信州大学工学部
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山下 将弘
信州大学工学部
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仙石 昌
信州大学工学部
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陳 晨
信州大学工学部
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大池 匠
信州大学工学部
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萩原 正宜
信州大学工学部電気電子工学科
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小林 尚平
信州大学工学部
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辻 拓真
信州大学工学部
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斎藤 裕史
信州大学工学部
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宮崎 慶
信州大学工学部
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田口 義之
信州大学工学部
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宮永 琢也
信州大学工学部
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石田 芳樹
信州大学工学部電気電子工学科
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石田 芳樹
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酒井 崇史
信州大学工学部
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浅田 裕司
信州大学工学部電気電子工学科
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浅田 裕司
信州大学工学部
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坂口 優也
信州大学工学部
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中村 嘉孝
信州大学工学部
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有馬 潤
信州大学工学部
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森山 和久
信州大学工学部
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小畑 元樹
シチズンファインテック株式会社
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塩野 晃宏
信州大学工学部電気電子工学科
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中久木 政秀
信州大学工学部電気電子工学科
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小林 勲生
信州大学工学部電気電子工学科
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塩沢 宏章
信州大学工学部電気電子工学科
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井口 裕哉
信州大学工学部
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杉田 晴彦
信州大学工学部
著作論文
- C-6-6 水平配向したカーボンナノチューブからの電界電子放出(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- 水平配向したカーボンナノチューブからの電界電子放出
- グラファイト触媒を用いたHW-CVD法によるSiC薄膜の低温形成(薄膜プロセス・材料,一般)
- 直接窒化法で形成したSiC表面窒化層の厚さと界面特性の評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- MIS型ショットキー接触の電流電圧特性を利用した窒化膜/SiC界面特性の評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- 反応性スパッタ法によるAlN薄膜の作製とLD用サブマウントへの応用(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-14 TEOSを用いた熱CVDによるSiC-MOS構造の界面評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- 直接窒化膜を界面制御層に用いたSiCMIS構造の作製
- C-6-15 SiO_2薄膜に分散したカーボンナノチューブからの電界電子放出(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- 絶縁体中に分散させたカーボンナノチューブにより作製した電子放出源(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-7 スパッタ堆積させた炭素薄膜のFE特性に対するプラズマ処理の効果(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- スパッタ法により作製した炭素薄膜の電界電子放出特性
- C-6-3 直接窒化法で作製したSiCMISショットキー接触の評価(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-5 プラズマ窒化法で作製したSiCMISダイオードの容量電圧特性における基板バイアスの効果(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-9 直接窒化法を用いたSiCMIS構造の界面特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- バイアス印加RFプラズマ窒化法によるSiC-MIS構造の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-3 ゾル・ゲル法によるCNT冷陰極の試作(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- SiC表面の直接窒化と窒化層/SiC界面特性の評価
- TEOSを原料とするCVD法によるSiO_2/SiC MOS構造の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-3 CNT冷陰極における直列抵抗の影響(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- 電界遮蔽効果と直列抵抗を同時に考慮した電界電子放出特性の検討(薄膜プロセス・材料,一般)