SiC表面の直接窒化と窒化層/SiC界面特性の評価
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概要
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SiC基板表面に直接窒化法により窒化層を製膜し,これを堆積法による酸化膜との界面制御層として使用することにより良好な界面特性を得ることを試みた。XPSによる直接窒化層表面の測定から直接窒化後のSiC表面層の組成と厚さを解析した結果,窒化層中の窒化種の拡散係数が著しく低いこと,直接窒化層がSiO_2 CVD装置内の残留酸素で酸化されやすいことが示された。また,MIS構造の電気的特性から界面特性を評価した結果,直接窒化層の導入により界面準位密度が低減することが示された。
- 2011-08-03
著者
-
鈴木 真一郎
信州大学工学部
-
林部 林平
信州大学工学部
-
上村 喜一
信州大学工学部
-
山上 朋彦
信州大学工学部
-
村田 裕亮
信州大学工学部
-
逸見 充則
信州大学工学部
-
上村 喜一
信州大学工学部電気電子工学科
-
山上 朋彦
信州大学工学部電気電子工学科
-
林部 林平
信州大学工学部電気電子工学科
-
酒井 崇史
信州大学工学部
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