複合ターゲットを用いた反応性スパッタリング法によるCuAlO_2薄膜の作製と構造評価
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
カーボンナノチューブ複合電極の電界電子放出特性(薄膜プロセス・材料,一般)
-
C-6-6 水平配向したカーボンナノチューブからの電界電子放出(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
-
平成21年度リフレッシュ理科出張教室(北陸・信越支部/東海支部浦里会場)開催報告
-
水平配向したカーボンナノチューブからの電界電子放出
-
グラファイト触媒を用いたHW-CVD法によるSiC薄膜の低温形成(薄膜プロセス・材料,一般)
-
直接窒化法で形成したSiC表面窒化層の厚さと界面特性の評価(薄膜プロセス・材料,一般)
-
MIS型ショットキー接触の電流電圧特性を利用した窒化膜/SiC界面特性の評価(薄膜プロセス・材料,一般)
-
反応性スパッタ法によるAlN薄膜の作製とLD用サブマウントへの応用(薄膜プロセス・材料,一般)
-
TaN_x薄膜抵抗体における基板表面粗さの影響(薄膜プロセス・材料,一般)
-
TaN_x薄膜抵抗体における基板表面粗さの影響
-
C-6-14 TEOSを用いた熱CVDによるSiC-MOS構造の界面評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
-
直接窒化膜を界面制御層に用いたSiCMIS構造の作製
-
C-6-15 SiO_2薄膜に分散したカーボンナノチューブからの電界電子放出(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
-
絶縁体中に分散させたカーボンナノチューブにより作製した電子放出源(薄膜プロセス・材料,一般)
-
C-6-7 スパッタ堆積させた炭素薄膜のFE特性に対するプラズマ処理の効果(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
-
スパッタ法により作製した炭素薄膜の電界電子放出特性
-
C-6-3 直接窒化法で作製したSiCMISショットキー接触の評価(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
-
C-6-5 プラズマ窒化法で作製したSiCMISダイオードの容量電圧特性における基板バイアスの効果(C-6.電子部品・材料,一般講演)
-
SiC表面の直接窒化とXPSによる窒化層の評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
SiC表面の直接窒化とXPSによる窒化層の評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
SiC表面の直接窒化とXPSによる窒化層の評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
SiC表面の直接窒化とXPSによる窒化層の評価
-
CS-6-6 HW-CVD法によるSiC薄膜の作製と評価(CS-6.薄膜の高機能発現をともなう低温成膜技術の最前線,シンポジウム)
-
プラズマ窒化法による6H-SiC窒化絶縁膜の作製と評価(薄膜プロセス・材料, 一般)
-
CS-5-1 スパッタ法による電界電子放出電極用炭素薄膜の作製(CS-5.ナノスケール時代を迎えた薄膜電子材料の展開,エレクトロニクス2)
-
ホットフィラメントアシストスパッタ法によるカーボン薄膜の作製と電界電子放出特性の評価(薄膜プロセス・材料,一般)
-
ホットフィラメントアシストスパッタ法によるカーボン薄膜の作製と電界電子放出特性の評価
-
C-6-9 直接窒化法を用いたSiCMIS構造の界面特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
-
バイアス印加RFプラズマ窒化法によるSiC-MIS構造の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
-
絶縁体中に分散させたカーボンナノチューブを用いた冷陰極の試作と評価(薄膜プロセス・材料,一般)
-
C-6-3 ゾル・ゲル法によるCNT冷陰極の試作(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
-
SiC表面の直接窒化と窒化層/SiC界面特性の評価
-
反応性スパッタ法によるCuAlO_2薄膜の作製とアニール効果
-
SiCコーティングしたグラファイト触媒を用いたSiC薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
-
複合ターゲットを用いた反応性スパッタリング法によるCuAlO_2薄膜の作製と構造評価(薄膜プロセス・材料,一般)
-
TEOSを原料とするCVD法によるSiO_2/SiC MOS構造の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
-
HWCVD法により低温形成したSiC薄膜の成長圧力依存性 (電子部品・材料)
-
C-6-3 CNT冷陰極における直列抵抗の影響(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
-
複合ターゲットを用いた反応性スパッタリング法によるCuAlO_2薄膜の作製と構造評価
-
TEOSを原料とするCVD法によるSiO_2/SiC MOS構造の作製
-
粘土鉱物-酸化チタン複合体担持フィルターによるトリクロロエチレンの除去
-
金属誘起結晶成長法によるSiC薄膜の低温結晶化の試み(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
金属誘起結晶成長法によるSiC薄膜の低温結晶化の試み(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
金属誘起結晶成長法によるSiC薄膜の低温結晶化の試み(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
HWCVD法により低温形成したSiC薄膜の成長圧力依存性
-
電界遮蔽効果と直列抵抗を同時に考慮した電界電子放出特性の検討(薄膜プロセス・材料,一般)
-
コールドスプレー法により作製したCu/Alターゲットを用いた反応性スパッタリング法によるCuAlO_2薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク