金属誘起結晶成長法によるSiC薄膜の低温結晶化の試み(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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概要

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ホットワイヤーCVD法により作製したアモルファスSiC薄膜の表面にAg等の遷移金属薄膜を蒸着し、アニールを施すことで、金属誘起結晶成長(MIC,MILC)法による薄膜の低温結晶化を試みた。その結果、Ag薄膜を堆積してアニールを施した場合は、Si-C結合に起因する800cm^<-1>付近の赤外吸収スペクトルにおけるピークシフトおよび半値幅の減少が、Ag薄膜無しの場合に比べて低い温度のアニールで観測されることが分かり、MILCによるアモルファスSiC薄膜の結晶化温度の低温化が示唆された。
2012-05-10

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