周 澤宇 | 信州大学工学部

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概要

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• 同名の論文著者
• 信州大学工学部の論文著者

関連著者

• 山上 朋彦

  信州大学工学部

• 山上 朋彦

  信州大学工学部電気電子工学科

• 周 澤宇

  信州大学工学部

• 阿部 克也

  信州大学工学部

• 坂口 優也

  信州大学工学部

• 牛草 遼平

  信州大学工学部

著作論文

• SiCコーティングしたグラファイト触媒を用いたSiC薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
• HWCVD法により低温形成したSiC薄膜の成長圧力依存性 (電子部品・材料)
• 金属誘起結晶成長法によるSiC薄膜の低温結晶化の試み(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 金属誘起結晶成長法によるSiC薄膜の低温結晶化の試み(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 金属誘起結晶成長法によるSiC薄膜の低温結晶化の試み(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• HWCVD法により低温形成したSiC薄膜の成長圧力依存性

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