HWCVD法により低温形成したSiC薄膜の成長圧力依存性 (電子部品・材料)

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概要

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• 2012-08-08

著者

• 山上 朋彦

  信州大学工学部

• 山上 朋彦

  信州大学工学部電気電子工学科

• 周 澤宇

  信州大学工学部

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