スパッタ法により作製した炭素薄膜の電界電子放出特性
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概要
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スパッタ堆積した炭素薄膜の電界電子放出特性について検討した.比較的高い圧力下で堆積することにより,閾値電界の低い電界電子放出特性が得られた.放出電流が電界に対して飽和する傾向が見られた.この原因について検討し,膜の直列抵抗分の影響が大きいことを示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-07-28
著者
-
林部 林平
信州大学工学部
-
上村 喜一
信州大学工学部
-
斉藤 裕史
信州大学工学部
-
山上 朋彦
信州大学工学部
-
宮崎 慶
信州大学工学部
-
田口 義之
信州大学工学部
-
宮永 琢也
信州大学工学部
-
上村 喜一
信州大学工学部電気電子工学科
-
山上 朋彦
信州大学工学部電気電子工学科
-
斉藤 裕史
信州大学工学部電気電子工学科
-
林部 林平
信州大学工学部電気電子工学科
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