HWCVD法により低温形成したSiC薄膜の成長圧力依存性
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概要
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SiCコーティングしたグラファイトを触媒体として用いたホットワイヤーCVD法により、触媒体温度と成長圧力を変化させてSiC薄膜の低温形成を試みた。その結果、本研究の実験条件下では、SiC膜がSiリッチな組成になりやすいことが明らかとなった。また、成長圧力を6Torrまで高圧化することで、膜組成がストイキオメトリーに近づくとともに結晶性が向上し、XRDおよびRHEEDパターンから400℃という低基板温度における微結晶SiC薄膜の形成に成功したことを確認した。さらに、気相中及び成長表面での成長メカニズムを考察し、実験結果を説明付けた。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-08-01
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