グラファイト触媒を用いたHW-CVD法によるSiC薄膜の低温形成(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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グラファイト触媒を用いたHW-CVD法により、p-Si(001)及びガラス基板上へのSiC薄膜の低温形成を試みた。原料ガスをSiH_3CH_3、希釈ガスをH_2とし、グラファイト触媒の温度を1500℃で固定して基板台温度、触媒-基板間距離、水素希釈比、成長圧力の各依存性について調査した。その結果、250℃の基板温度においてアモルファスSiC膜を得ることに成功し、各パラメータ依存性の結果からSiC薄膜の結晶性向上のためには、成長表面での原子状水素濃度を増大させるための最適条件を探ることが重要であることがわかった。
- 2010-10-21
著者
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林部 林平
信州大学工学部
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阿部 克也
信州大学工学部
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坂口 優也
信州大学工学部
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中村 嘉孝
信州大学工学部
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有馬 潤
信州大学工学部
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森山 和久
信州大学工学部
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林部 林平
信州大学工学部電気電子工学科
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