SiC表面の直接窒化とXPSによる窒化層の評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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熱窒化法とプラズマ窒化法によりSiC表面を直接窒化し,形成された窒化層をXPSを用いて評価した.窒化開始から数分で窒化層の成長が飽和し,極めて薄い層が形成された.窒化層からSi,C,O,Nのピークが検出された.これらのピークを分析した結果,窒化層は主にSiの酸窒化膜で構成されていることが示された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-09-28
著者
-
林部 林平
信州大学工学部
-
阿部 克也
信州大学工学部
-
上村 喜一
信州大学工学部
-
山上 朋彦
信州大学工学部
-
山口 哲生
信州大学工学部
-
萩原 正宜
信州大学工学部電気電子工学科
-
陳 晨
信州大学工学部
-
石田 芳樹
信州大学工学部電気電子工学科
-
石田 芳樹
信州大学工学部
-
山上 朋彦
信州大学工学部電気電子工学科
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