SiH_2Cl_2 をソースガスとしたプラズマCVD法による SiC 薄膜の生成と諸特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
SiH_2Cl_2をソースガスとしたプラズマCVD法により、SiC薄膜を生成した。生成したSiC薄膜の結晶性、組成比をX線回折、XPSにより評価した。基板温度750℃、SiH_2Cl_2流量15sccm、CH_4流量5〜10sccmにおいて生成したSiC薄膜は、ほぼ科学量論的組成比であり、また、強い配向性を示した。SiC薄漠の結晶粒径は740Å、吸収端は2.2eV、移動度は1.2×1O^1Vs/cm^2、抵抗率は1.6×10<-1>Ωcm、キャリア濃度は3.3×10<18>cm<-3>であった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-30
著者
-
上村 喜一
信州大学工学部
-
中尾 真人
信州大学工学部
-
小沼 義治
信州大学工学部
-
上村 喜一
信州大学 工学部
-
中尾 眞人
信州大学工学部電気電子工学科
-
小川 武志
信州大学 工学部 電気電子工学科
-
小沼 義治
信州大学
-
小沼 義治
信州大学 工学部
-
湯本 正則
信州大学 工学部 電気電子工学科
-
中尾 真人
信州大学 工学部 電気電子工学科
関連論文
- カーボンナノチューブ複合電極の電界電子放出特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- BCl_3を用いたプラズマCVDによるホウ素薄膜の生成
- C-6-6 水平配向したカーボンナノチューブからの電界電子放出(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- 電子ビーム蒸着法によるホウ素薄膜の作製と評価
- 水平配向したカーボンナノチューブからの電界電子放出
- 直接窒化法で形成したSiC表面窒化層の厚さと界面特性の評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- MIS型ショットキー接触の電流電圧特性を利用した窒化膜/SiC界面特性の評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- 低抵抗抵抗器のための電極接触抵抗の検討
- (55)工学部における英語教育検討の試み(第16セッション 教育課程の編成)
- 反応性スパッタ法によるAlN薄膜の作製とLD用サブマウントへの応用(薄膜プロセス・材料,一般)
- TaN_x薄膜抵抗体における基板表面粗さの影響(薄膜プロセス・材料,一般)
- TaN_x薄膜抵抗体における基板表面粗さの影響
- リアクティブスパッタ法によるTaN_x薄膜抵抗体の作製と電極との接触抵抗の評価(電子材料)
- スパッタ法によるTaN抵抗体薄膜と電極との接触抵抗
- 多結晶SiC薄膜の生成とそのピエゾ抵抗特性
- 反応性スパッタ法によるイットリア安定化ジルコニア薄膜の作成とその諸特性
- C-6-14 TEOSを用いた熱CVDによるSiC-MOS構造の界面評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- 直接窒化膜を界面制御層に用いたSiCMIS構造の作製
- C-6-15 SiO_2薄膜に分散したカーボンナノチューブからの電界電子放出(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- 絶縁体中に分散させたカーボンナノチューブにより作製した電子放出源(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-7 スパッタ堆積させた炭素薄膜のFE特性に対するプラズマ処理の効果(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- スパッタ法により作製した炭素薄膜の電界電子放出特性
- C-6-3 直接窒化法で作製したSiCMISショットキー接触の評価(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-5 プラズマ窒化法で作製したSiCMISダイオードの容量電圧特性における基板バイアスの効果(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- SiC表面の直接窒化とXPSによる窒化層の評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- SiC表面の直接窒化とXPSによる窒化層の評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- SiC表面の直接窒化とXPSによる窒化層の評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- SiC表面の直接窒化とXPSによる窒化層の評価
- CS-6-6 HW-CVD法によるSiC薄膜の作製と評価(CS-6.薄膜の高機能発現をともなう低温成膜技術の最前線,シンポジウム)
- プラズマ窒化法による6H-SiC窒化絶縁膜の作製と評価(薄膜プロセス・材料, 一般)
- CS-5-1 スパッタ法による電界電子放出電極用炭素薄膜の作製(CS-5.ナノスケール時代を迎えた薄膜電子材料の展開,エレクトロニクス2)
- ホットフィラメントアシストスパッタ法によるカーボン薄膜の作製と電界電子放出特性の評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- ホットフィラメントアシストスパッタ法によるカーボン薄膜の作製と電界電子放出特性の評価
- C-6-9 直接窒化法を用いたSiCMIS構造の界面特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- バイアス印加RFプラズマ窒化法によるSiC-MIS構造の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
- 四塩化ケイ素を用いたプラズマCVD法による SiC薄膜の形成
- SiCl_4のプラズマCVDによる多結晶Si及びSiC薄膜
- 伝送線路モデル(TLM)による高精度低抵抗抵抗器の電極接触抵抗の評価
- 絶縁体中に分散させたカーボンナノチューブを用いた冷陰極の試作と評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- スパッタリング法によるSnO_2薄膜の生成
- 矩形形状BiGa置換YIG薄膜の共鳴磁界の温度変動について
- 熱フィラメントアシストスパッタ法による結晶性炭素薄膜の生成
- C-6-9 リアクティブスパッタ法によるZrO_2薄膜の生成とその評価
- C-6-8 結晶性炭素薄膜の生成とその評価
- 高配向性カーボン薄膜の生成とその諸特性
- 結晶性炭素薄膜の生成とその諸特性評価
- SiH_2Cl_2 をソースガスとしたプラズマCVD法による SiC 薄膜の生成と諸特性
- スパッタリング法による酸素センサ用正方晶ジルコニア薄膜の作製
- スパッタリング法によるSiC薄膜の生成
- 反応性スパッタ法によるNbC_xN_y薄膜の生成とその諸特性
- C-6-3 ゾル・ゲル法によるCNT冷陰極の試作(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- ZnO薄膜を表面に生成させたATカット水晶振動子の周波数湿度特性
- 光ファイバを用いた位置・速度センサの検出特性
- 工業高校生によるCdS/CdTe太陽電池の作製
- 信州大学工学部電気電子工学科電子材料講座(学部)精密デバイス講座(大学院)小沼・上村研究室(研究室訪問)
- 多結晶炭化珪素薄膜を用いたマイクロセンサの試作
- 反応性スパッタ法によるNbCxN1-x超伝導薄膜の作成
- SiC表面の直接窒化と窒化層/SiC界面特性の評価
- プラズマCVD法によるTMSを用いた多結晶SiC薄膜の生成
- プラズマCVD法による多結晶Si薄膜の作成
- Y2O3添加ZrO2スパッタ膜の作製と評価
- プラズマCVD法による多結晶SiC薄膜
- プラズマCVDによる高導電性カーボン膜の生成
- PbTe薄膜の電気的特性とひずみ抵抗効果
- SnTe薄膜の製作および電気的特性
- TEOSを原料とするCVD法によるSiO_2/SiC MOS構造の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-3 CNT冷陰極における直列抵抗の影響(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- TEOSを原料とするCVD法によるSiO_2/SiC MOS構造の作製
- 電界遮蔽効果と直列抵抗を同時に考慮した電界電子放出特性の検討(薄膜プロセス・材料,一般)