多結晶SiC薄膜の生成とそのピエゾ抵抗特性
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概要
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多結晶SiC薄膜をAr、CH_4の混合ガス中での反応性マグネトロンスパッタリングにより生成した。ターゲットには単結晶Siウェハーを用いた。生成したSiC薄膜は生成率10〜40[nm, min]であった。Ar分圧60[mTorr]、CH_4分圧40[mTorr]、基板温度750[℃]において顕著な配向性のあるSiC薄膜が得られた。キャリア濃度、Hall移動度、抵抗率はそれぞれ、10^18>[cm^-3>]、10^1[cm^2/Vs]、10^-1>〜10^-2>[Ωcm]であった。ピエゾ抵抗測定の結果よりゲージ率は15程度のものが得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-12
著者
-
上村 喜一
信州大学工学部
-
岡田 亮一
信州大学工学部
-
中尾 真人
信州大学工学部
-
小沼 義治
信州大学工学部
-
米久保 荘
信州大学工学部
-
中尾 眞人
信州大学工学部電気電子工学科
-
小沼 義治
信州大学
-
米久保 荘
信州大学
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