石田 芳樹 | 信州大学工学部電気電子工学科

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概要

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関連著者

• 林部 林平

  信州大学工学部

• 上村 喜一

  信州大学工学部

• 山上 朋彦

  信州大学工学部

• 石田 芳樹

  信州大学工学部電気電子工学科

• 石田 芳樹

  信州大学工学部

• 阿部 克也

  信州大学工学部

• 萩原 正宜

  信州大学工学部電気電子工学科

• 陳 晨

  信州大学工学部

• 山上 朋彦

  信州大学工学部電気電子工学科

• 山口 哲生

  信州大学工学部

• 上村 喜一

  信州大学工学部電気電子工学科

• 林部 林平

  信州大学工学部電気電子工学科

• 仙石 昌

  信州大学工学部

• 劉 穎慎

  信州大学工学部電気電子工学科

• 塩沢 宏章

  信州大学工学部電気電子工学科

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著作論文

• C-6-5 プラズマ窒化法で作製したSiCMISダイオードの容量電圧特性における基板バイアスの効果(C-6.電子部品・材料,一般講演)
• SiC表面の直接窒化とXPSによる窒化層の評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• SiC表面の直接窒化とXPSによる窒化層の評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• SiC表面の直接窒化とXPSによる窒化層の評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• SiC表面の直接窒化とXPSによる窒化層の評価
• プラズマ窒化法による6H-SiC窒化絶縁膜の作製と評価(薄膜プロセス・材料, 一般)
• バイアス印加RFプラズマ窒化法によるSiC-MIS構造の作製(薄膜プロセス・材料,一般)

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