金属誘起結晶成長法によるSiC薄膜の低温結晶化の試み (シリコン材料・デバイス)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2012-05-17

著者

• 坂口 優也

  信州大学工学部

• 牛草 遼平

  信州大学工学部

関連論文

• グラファイト触媒を用いたHW-CVD法によるSiC薄膜の低温形成(薄膜プロセス・材料,一般)
• SiCコーティングしたグラファイト触媒を用いたSiC薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
• 金属誘起結晶成長法によるSiC薄膜の低温結晶化の試み (電子デバイス)
• 金属誘起結晶成長法によるSiC薄膜の低温結晶化の試み (電子部品・材料)
• 金属誘起結晶成長法によるSiC薄膜の低温結晶化の試み (シリコン材料・デバイス)
• 金属誘起結晶成長法によるSiC薄膜の低温結晶化の試み(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 金属誘起結晶成長法によるSiC薄膜の低温結晶化の試み(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 金属誘起結晶成長法によるSiC薄膜の低温結晶化の試み(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

スポンサーリンク